Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,268,673

 Analysis and design of class-E power amplifier considering MOSFET nonlinear capacitance
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Trang Nguyen Dat Vuong, Tran The Son, Anh Phan Thi Lan, Hien Dang Quang
Nơi đăng: International Journal of Power Electronics and Drive Systems; Số: 1;Từ->đến trang: 23-29;Năm: 2022
Lĩnh vực: Công nghệ thông tin; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
Class-E power amplifiers are integrated into many applications because their simple design and high performance. The efficiency of the power amplifier is significantly impacted by the nonlinear characteristic of the switching device, which is not analyzed clearly in theory. The nonlinear drain-to-source parasitic capacitance of the power transistor and the linear external capacitance are both contributed to the optimum conditions for obtaining the exact shunt capacitance. In this paper, a high-efficiency class-E power amplifier with shunt capacitance is designed with the consideration of both linear and nonlinear capacitance. Furthermore, a mathematical analysis is derived to calculate the component values in order to design the class-E power amplifier. Consequently, high power-added efficiency of 94.6% is obtained using MRF9030 MOSFET transistor with parameter of 4W output power and 13.56 MHz operating frequency. Finally, the measurement result of a linear class-E power amplifier circuit is obtained to compare and realize the efficiency of the proposed work.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn