Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 54,815,257

 Nghiên cứu sự uốn cong mặt mạng của màng tinh thể AlN trồng trên đế α-Al2O3 được gia công rãnh sử dụng nhiễu xạ tia X
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Đinh Thanh Khẩn*, Nguyen Quy Tuan
Nơi đăng: Tạp chí Khoa học Công nghệ ĐHĐN; Số: Số 12(97).2015, Quyển 1;Từ->đến trang: 33;Năm: 2015
Lĩnh vực: Xã hội nhân văn; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Một phương pháp cho việc xác định sự uốn cong mặt mạng của màng tinh thể AlN, được trồng trên một đế α-Al2O3 được gia công rãnh bằng phương pháp mọc ghép pha hơi hyddrua, sử dung phương pháp nhiễu xạ tia X đã được nghiên cứu. Một chuỗi các phép đo nhiễu xạ tia X trên các mặt mạng (0002) của màng tinh thể AlN đã được thực hiện tại các vị trí khác nhau trên bề mặt của màng tinh thể AlN dọc theo hướng tinh thể [1-100]. Nhóm tác giả đưa ra một mô hình cho việc xác định kiểu uốn cong mặt mạng và bán kính uốn cong từ kết quả nhiễu xạ tia X. Các kết quả đã chỉ ra một cách rõ ràng rằng dọc theo hướng tinh thể [1-100], các mặt mạng tinh thể AlN bị cong lồi lên và bán kính của sự uốn cong được xác định khoảng 3.1 m.
ABSTRACT
In this article, a method using X-ray diffraction for determining the crystallographic curvature of a thick AlN crystalline film epitaxially grown on a periodically trench-patterned α-Al2O3 template by the hydride vapor phase epitaxy method was studied. A series of X-ray rocking curve measurements for AlN 0002 reflection was taken at different positions across the surface of the thick AlN epitaxial film along the [1-100] direction. The authors introduce a model for determining the crystallographic curvature and the curvature radius from X-ray diffraction results. The results clearly demonstrate that the crystallographic curvature of the film is convex along the [1-100] direction and the radius of crystallographic curvature of the thick AlN film is estimated to be 3.1 m.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn