Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,948,000

 Tuning the electronic properties of GaS monolayer by strain engineering and electric field
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Khang D. Pham, Vo T.T. Vi, Doan V. Thuan, Nguyen V. Hieu, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Bui D. Hoi, Le T.T. Phuong, Nguyen Q. Cuong, Dung V. Lu, Nguyen N. Hieu.
Nơi đăng: Chemical Physics; Số: 524;Từ->đến trang: 101-105;Năm: 2019
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
In the present study, the effects of the strain engineering and electric field on electronic properties of the GaS monolayer are investigated by ab initio investigations. Our calculated results demonstrate that the GaS monolayer is a semi-conductor with a large indirect bandgap of 2.568 eV at the equilibrium. In the presence of a biaxial strain, the band structure of the GaS monolayer, especially the conduction band, changes significantly. However, while the effect of compressive strain on the energy gap of the GaS monolayer is quite weak, its energy gap depends strongly on the tensile strain. On the other hand, external electric fields can cause the semiconductor–metal transition in the monolayer. Being able to control electronic properties, especially the occurrence of the semiconductor–metal phase transition, makes the GaS monolayer a prospective material for nanoelectromechanical and nanospintronic applications.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn