Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,257,794

 Tính chất điện tử và quang học của đơn lớp AlTe
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Huỳnh Ngọc Toàn, Nguyễn Quang Cường, Dụng Văn Lữ*
Nơi đăng: TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG; Số: 19-9;Từ->đến trang: 73-76;Năm: 2021
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
In this paper, we do a survey on the electronic and optical properties of the group III monochalcogenide AlTe monolayer using the density function theory. The dynamical stability of AlTe monolayer is confirmed via the analysis of its phonon spectrum. The obtained results indicate that, the AlTe monolayer at the equilibrium state is an indirect semiconductor with band gap of 1.91 eV. The static dielectric constant e 1 (0) of AlTe monolayer is 3.104, which is higher than that of several similar materials. AlTe monolayer has the ability to strongly absorb light in the near-ultraviolet region and maximum absorption intensity is 78.76 10 4 cm–1 at the incident light energy of 5.67 eV. Our findings not only give a deeper understanding of the physical properties of the AlTe monolayer, but also open up the prospect of its application in opto-electronic devices.
ABSTRACT
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn