Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,199,815
Tính chất điện tử và quang học của đơn lớp AlTe
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Huỳnh Ngọc Toàn, Nguyễn Quang Cường, Dụng Văn Lữ*
Nơi đăng:
TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG;
S
ố:
19-9;
Từ->đến trang
: 73-76;
Năm:
2021
Lĩnh vực:
Tự nhiên;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Trong nước
TÓM TẮT
In this paper, we do a survey on the electronic and optical properties of the group III monochalcogenide AlTe monolayer using the density function theory. The dynamical stability of AlTe monolayer is confirmed via the analysis of its phonon spectrum. The obtained results indicate that, the AlTe monolayer at the equilibrium state is an indirect semiconductor with band gap of 1.91 eV. The static dielectric constant e 1 (0) of AlTe monolayer is 3.104, which is higher than that of several similar materials. AlTe monolayer has the ability to strongly absorb light in the near-ultraviolet region and maximum absorption intensity is 78.76 10 4 cm–1 at the incident light energy of 5.67 eV. Our findings not only give a deeper understanding of the physical properties of the AlTe monolayer, but also open up the prospect of its application in opto-electronic devices.
ABSTRACT
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn