Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,200,797
Highly Luminescence MgZnO/ZnO Multiple quantum wells for Photonics Devices
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Muhammad Zakria,
Thanh Tung Huynh
, Francis CC Ling, Shi Chen Su, Matthew R Phillips, Cuong Ton-That
Nơi đăng:
ACS Applied Nano Materials;
S
ố:
xxx;
Từ->đến trang
: xxx-xxx;
Năm:
2019
Lĩnh vực:
Khoa học;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
Multiple quantum wells (MQWs) have enabled a myriad of technological applications; however, their optical emission is currently severely constrained by the presence of undesirable defects, which limit their performance in advanced photonic devices. Here we present a new route to achieve highly luminescent oxide-based MQWs by rapid remote plasma annealing (RRPA) in hydrogen. We demonstrate that the optical emission from the MgZnO/ZnO MQWs can be enhanced substantially by this plasma method, with its emission intensity enhanced by more than 10 times after being treated for 40 seconds. Concurrently, the emissions associated with both basal stacking faults and point defects are completely quenched. Based on temperature- and excitation density-dependent luminescence results, the enhancement of the MQW emission is attributed to the passivation of competitive recombination channels …
ABSTRACT
Multiple quantum wells (MQWs) have enabled a myriad of technological applications; however, their optical emission is currently severely constrained by the presence of undesirable defects, which limit their performance in advanced photonic devices. Here we present a new route to achieve highly luminescent oxide-based MQWs by rapid remote plasma annealing (RRPA) in hydrogen. We demonstrate that the optical emission from the MgZnO/ZnO MQWs can be enhanced substantially by this plasma method, with its emission intensity enhanced by more than 10 times after being treated for 40 seconds. Concurrently, the emissions associated with both basal stacking faults and point defects are completely quenched. Based on temperature- and excitation density-dependent luminescence results, the enhancement of the MQW emission is attributed to the passivation of competitive recombination channels …
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn