Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,200,410
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Than Hong Phuc, Tran Thi Tra Vinh, Nguyen Vu Anh Quang, Than Quang Tho, Huynh Thanh Tung, Nguyen Tan Hung, Van-Trung Nguyen, Van-Phuc Hoang, Trong-Thuc Hoang, Cong-Kha Pham
Nơi đăng:
The 10th IWAMSN;
S
ố:
1;
Từ->đến trang
: 1;
Năm:
2021
Lĩnh vực:
Kỹ thuật;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
Although AIGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been attracted great attention due to its wide bandgap energy of 3.4 eV, high breakdown electric field of 3 MV/em, superior thermal properties, and high electron mobility, very little was repored for the effect of insulator dielectric passivation layer on the breakdown voltage (Vtr) of AIGaN/GaN HEMT. In this paper, we discuss the effect of SiO2;, SiN, Al2O3, HfO2 as an insulator dielectric passivation layer on Vbr AlGaN/GaN FP-HEMIT. The investigation of HEMT was carried out using Technology Computer Aided Design (TCAD). The HEMT with a field plate (FP-HEMT) has a higher Vbr than that of HEMT without a field plate (N-HEMT). The FP-HEMT with HfO2 passivation layer exhibits the highest breakdown vollage of 880 V, The FP-HEMT with SiO2 passivation layer has the lowest breakdown voltage of 175 V. The use of a passivation layer with higher
ABSTRACT
Although AIGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been attracted great attention due to its wide bandgap energy of 3.4 eV, high breakdown electric field of 3 MV/em, superior thermal properties, and high electron mobility, very little was repored for the effect of insulator dielectric passivation layer on the breakdown voltage (Vtr) of AIGaN/GaN HEMT. In this paper, we discuss the effect of SiO2;, SiN, Al2O3, HfO2 as an insulator dielectric passivation layer on Vbr AlGaN/GaN FP-HEMIT. The investigation of HEMT was carried out using Technology Computer Aided Design (TCAD). The HEMT with a field plate (FP-HEMT) has a higher Vbr than that of HEMT without a field plate (N-HEMT). The FP-HEMT with HfO2 passivation layer exhibits the highest breakdown vollage of 880 V, The FP-HEMT with SiO2 passivation layer has the lowest breakdown voltage of 175 V. The use of a passivation layer with higher
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn