Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,837,824

 Biến thể B-tree mới cho bộ nhớ Nand flash
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Hồ Văn Phi, Nguyễn Văn Lợi
Nơi đăng: CITA conference 2017; Số: 1;Từ->đến trang: 256-264;Năm: 2017
Lĩnh vực: Công nghệ thông tin; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Recently, flash memory has been widely used because of its advantages such as fast access speed, nonvolatile, low power consumption. However, erase-before-write feature causes the B-tree implementation on flash memory to be inefficient because it generates many flash operations.This study introduces a novel overflowing mechanism for B-tree index, called OMB. It can reduce the number of flash operations and minimize the number of pages used to store the B-tree index. The experimental results show that OMB yields a good performance and save a lot of flash memory resources.
ABSTRACT
Recently, flash memory has been widely used because of its advantages such as fast access speed, nonvolatile, low power consumption. However, erase-before-write feature causes the B-tree implementation on flash memory to be inefficient because it generates many flash operations.This study introduces a novel overflowing mechanism for B-tree index, called OMB. It can reduce the number of flash operations and minimize the number of pages used to store the B-tree index. The experimental results show that OMB yields a good performance and save a lot of flash memory resources.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn