Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 112,298,152
Cơ chế tràn mới cho chỉ mục B-tree trên bộ nhớ Nand Flash
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Ho Van Phi
Nơi đăng:
Hội thảo quốc gia lần thứ XXI: Một số vấn đề chọn lọc của Công nghệ thông tin và truyền thông;
S
ố:
1;
Từ->đến trang
: 6-11;
Năm:
2020
Lĩnh vực:
Công nghệ thông tin;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Trong nước
TÓM TẮT
Recently, flash memory has been widely used because of its advantages such as fast access speed, nonvolatile, low power consumption. However, erase-before-write feature causes the B-tree implementation on flash memory to be inefficient because it generates many flash operations. This study introduces a novel overflowing mechanism for B-tree index, called OMB. It can reduce the number of flash operations and minimize the number of pages used to store the B-tree index. The experimental results show that OMB yields a good performance and save a lot of flash memory resources.
ABSTRACT
[
2021\2021m04d05_14_12_31A_Novel_Overflowing_Mechanism_for_B-tree_Index_on_Flash_Memory_Revised.pdf
]
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn