| Tính chất của màng silic đa tinh thể nhiệt độ thấp trên lớp điện cực đáy sử dụng lớp kích thích kết tinh YSZ và phương pháp kết tinh pha rắn |
| Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita |
| Nơi đăng: The 9th Thin Film Materials & Devices Meeting, TFMD 9th; Số: 9;Từ->đến trang: 73-76;Năm: 2012 |
| Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế |
| TÓM TẮT |
| Chúng tôi đã chế tạo thành công màng mỏng silic đa tinh thể ở nhiệt độ thấp bằng cách sử dụng lớp kích thích kết tinh YSZ kết hợp với phương pháp kết tinh pha rắn. Khả năng cực cổng cách điện của lớp YSZ cũng đã được khảo sát bằng các phép đo thuộc tinh điện như C-V, I-V. |
| ABSTRACT |
| We successfully obtained a polycrystalline silicon (poly-Si) film at low temperature by using yttria-stabilized zirconia (YSZ) stimulation layer combined with solid phase crystallization (SPC) methods. Gate insulator capability of YSZ layer was also investigated by electrical properties (C-V, I-V) measurements. |
| [ 2016\2016m011d025_15_51_7TFMD_9th-2012.pdf ] |
