Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,848,218

 Tác dụng của lớp kích thích lên sự kết tinh pha rắn của silic vô định hình bằng phương pháp chiếu xạ lade xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: THE 20th INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (2013); Số: 20;Từ->đến trang: 175-176;Năm: 2013
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Sự kết tinh pha rắn của silic vô định hình bằng lade xung được nghiên cứu sử dụng lớp kích thích YSZ và đế thuỷ tinh. Kết quả cho thấy, silic kết tinh trên lớp kích thích YSZ có tốc độ kết tinh nhanh hơn và chất lượng kết tinh tốt hơn so với trên đế thuỷ tinh. Hơn nữa, kích thước hạt của silic trên lớp kích thích YSZ cũng đồng đều hơn so với trên đế thuỷ tinh. Điều này được cho là nhờ vào hiệu ứng kích thích của YSZ.
ABSTRACT
Solid-phase crystallization of an amorphous Si film by pulse laser beam is investigated using a stimulation layer of yttria-stabilized zirconia (YSZ), compared with that on glass substrate. It is found that, at high pulse number, FWHM of c-Si peaks and crystalline fractions of Si films on YSZ layers are smaller and higher, respectively, than those on glass substrates. Moreover, grain size of Si on YSZ layers is more uniform, compared with that on glass substrates. It is considered that the results are owed to crystallization stimulation effect of YSZ layer.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn