Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 106,075,015
So sánh chất lượng kết tinh của màng mỏng silic kết tinh pha rắn trên lớp YSZ và trên đế thuỷ tinh bằng phương pháp chiếu xạ laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng:
The Japan Society of Applied Physics-JSAP, 74th Autumn Meeting;
S
ố:
74;
Từ->đến trang
: 1-1;
Năm:
2013
Lĩnh vực:
Khoa học công nghệ;
Loại:
Báo cáo;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
Transistor màng mỏng sử dụng silic đa tinh thể (poly-Si) đã và đang được nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi. Trong Hội nghị JSAP mùa xuân, chúng tôi đã đề xuất phương pháp lớp kích thích sử dụng vật liệu kích thích là YSZ kết hợp với phương pháp nung laser xung (PLA). Chúng tôi cũng đã báo cáo rằng màng mỏng silic vô định hình được kết tinh thành công ở pha rắn trên lớp YSZ bằng cách chiếu xạ laser xung màu xanh và thành phần vi kết tinh của màng mỏng silic này thấp hơn so với màng mỏng kết tinh trực tiếp trên đế thuỷ tinh. Điều này chứng tỏ rằng chất lượng của màng silic kết tinh trên lớp YSZ tốt hơn so với trên đế thuỷ tinh. Trong Hội nghị này, chúng tôi sẽ trình bày các kết quả nghiên cứu chi tiết về chất lượng màng mỏng bằng máy đo phổ Raman, ví dụ như sự phụ thuộc vào mật độ năng lượng và thời gian nung của FWHM và độ kết tinh của đỉnh silic kết tinh.
ABSTRACT
Thin-film transistors (TFTs) using a material of polycrystalline silicon (poly-Si) have been studied and applied extensively. In the previous Spring JSAP Meeting, we have proposed a stimulation layer method using yttria-stabilized zirconia [(ZrO2)1-x(Y2O3)x : YSZ] as a stimulation material combined with PLA method. We have, also, reported that an a-Si film on a YSZ layer is solid-phase crystallized successfully by pulse green laser irradiation and microcrystalline fraction of SPC films on YSZ layers is a little lower than that on glass substrates[1]. This indicates that SPC film quality on YSZ layers might be better than that on glass substrates. In this Meeting, we present detailed investigation results of film quality by Raman spectroscopy such as energy density and pulse number dependences of FWHM and crystalline fraction of crystalline silicon (c-Si) peak.
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn