Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,075,015

 So sánh chất lượng kết tinh của màng mỏng silic kết tinh pha rắn trên lớp YSZ và trên đế thuỷ tinh bằng phương pháp chiếu xạ laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The Japan Society of Applied Physics-JSAP, 74th Autumn Meeting; Số: 74;Từ->đến trang: 1-1;Năm: 2013
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Transistor màng mỏng sử dụng silic đa tinh thể (poly-Si) đã và đang được nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi. Trong Hội nghị JSAP mùa xuân, chúng tôi đã đề xuất phương pháp lớp kích thích sử dụng vật liệu kích thích là YSZ kết hợp với phương pháp nung laser xung (PLA). Chúng tôi cũng đã báo cáo rằng màng mỏng silic vô định hình được kết tinh thành công ở pha rắn trên lớp YSZ bằng cách chiếu xạ laser xung màu xanh và thành phần vi kết tinh của màng mỏng silic này thấp hơn so với màng mỏng kết tinh trực tiếp trên đế thuỷ tinh. Điều này chứng tỏ rằng chất lượng của màng silic kết tinh trên lớp YSZ tốt hơn so với trên đế thuỷ tinh. Trong Hội nghị này, chúng tôi sẽ trình bày các kết quả nghiên cứu chi tiết về chất lượng màng mỏng bằng máy đo phổ Raman, ví dụ như sự phụ thuộc vào mật độ năng lượng và thời gian nung của FWHM và độ kết tinh của đỉnh silic kết tinh.
ABSTRACT
Thin-film transistors (TFTs) using a material of polycrystalline silicon (poly-Si) have been studied and applied extensively. In the previous Spring JSAP Meeting, we have proposed a stimulation layer method using yttria-stabilized zirconia [(ZrO2)1-x(Y2O3)x : YSZ] as a stimulation material combined with PLA method. We have, also, reported that an a-Si film on a YSZ layer is solid-phase crystallized successfully by pulse green laser irradiation and microcrystalline fraction of SPC films on YSZ layers is a little lower than that on glass substrates[1]. This indicates that SPC film quality on YSZ layers might be better than that on glass substrates. In this Meeting, we present detailed investigation results of film quality by Raman spectroscopy such as energy density and pulse number dependences of FWHM and crystalline fraction of crystalline silicon (c-Si) peak.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn