Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,832,826

 Sự phụ thuộc vào thời gian chiếu xạ của chất lượng kết tinh của màng mỏng silic kết tinh pha rắn trên lớp kích thích kết tinh YSZ bằng laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The 10th Thin Film Materials & Devices Meeting, TFMD 10th; Số: 10;Từ->đến trang: 247-250;Năm: 2013
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Sự phụ thuộc vào thời gian chiếu xạ của độ kết tinh của màng mỏng silic kết tinh pha rắn bằng laser xung có/không có lớp kích thích kết tinh YSZ được nghiên cứu sử dung máy đo phổ Raman. Kết quả cho thấy độ kết tinh Xc của màng silic tăng lên khi tăng thời gian nung cho cả hai cấu trúc Si/YSZ/đế thuỷ tinh và Si/đế thuỷ tinh. Ở mật độ năng lượng thấp, FWHM của đỉnh silic kết tinh gần như là như nhau ngay cả khi thay đổi thời gian nung. Điều này chứng tỏ chất lượng kết tinh của màng silic là khá tốt. Tuy nhiên, khi tăng thời gian nung ở mật độ năng lượng cao, FWHM trở nên lớn hơn và tăng lên. Điều này được cho là do sự gia tăng của mật độ khuyết tật trong màng silic. Kết quả nghiên cứu còn cho thấy FWHM của đỉnh silic kết tinh của cấu trúc Si/YSZ/đế thuỷ tinh nhỏ hơn so với của cấu trúc Si/đế thuỷ tinh ở cùng độ kết tinh và cùng thời gian nung.
ABSTRACT
The irradiation time dependence of crystallinity of a solid-phase crystallized Si thin film by pulse laser with/without a crystallization-induction (CI) layer of yttria-stabilized zirconia (YSZ) was investigated using Raman spectroscopy. It was found that crystalline fraction Xc of Si films increase with pulse number N for both Si/YSZ/glass and Si/glass cases. At low energy density E, FWHM of c-Si peak are all most the same for all N, indicating relatively good quality of Si films. However, increasing N at high E makes FWHM become larger and increase slightly, which might be due to the increase of defect density in Si films. It was also found that FWHM of c-Si peak for Si/YSZ/glass was smaller than that for Si/glass at the same Xc and N.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn