Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,079,581

 Cải thiện chất lượng kết tinh của màng mỏng silic kết tinh pha rắn trên lớp kích thích YSZ bằng lade xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The 20th International Display Workshops; Số: 20;Từ->đến trang: 655-656;Năm: 2013
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Một phương pháp hai bước kết tinh mới đã được đề xuất nhằm cải thiện chất lượng của màng mỏng silic kết tinh pha rắn trên lớp kích thích kết tinh YSZ bằng lade xung. Đầu tiên, silic vô định hình được chiếu xạ ở năng lượng thấp trong thời gian ngắn để tạo ra hạt nhân. Sau đó, nó được chiếu xạ ở năng lượng cao để thúc đẩy quá trình phát triển của hạt nhân và kết tinh toàn bộ màng mỏng silic. Kết quả cho thấy độ kết tinh của màng silic cao hơn và chất lượng kết tinh tốt hơn. Điều này biểu thị chất lượng của màng silic kết tinh bằng phương pháp hai bước tốt hơn phương pháp một bước truyền thống.
ABSTRACT
A new two-steps irradiation method has been proposed to improve the quality of SPC Si films on YSZ crystallization-induction layers by pulse laser. Firstly, a-Si films were irradiated at low energy density for short time to generate nuclei, following by irradiation at high energy density to accelerate nuclei growth and films crystallization. Si films crystalline fractions were higher while their FWHM were smaller, indicating better quality than the conventional one.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn