Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,827,601

 Nghiên cứu phổ Raman của màn silic kết tinh pha rắn trên đế thuỷ tinh bằng lade xung kết hợp với lớp kích thích kết tinh YSZ.
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: Japanese Journal Applied Physic; Số: 53;Từ->đến trang: 03CB01-1 đến 03CB01-7;Năm: 2014
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Sự kết tinh pha rắn của màng silic trên lớp kích thích kết tinh YSZ và trên đế thuỷ tinh được tiến hành bằng việc sử dụng lade xung Nd:YAG. Chúng tôi đã khảo sát chất lượng kết tinh của màng silic bằng máy đo phổ Raman. Kết quả cho thấy, với cùng độ kết tinh, chất lượng kết tinh của silic trên lớp kích thích YSZ tốt hơn so với trên đế thuỷ tinh. Kết quả này được xem xét là nhờ vào hiệu ứng kích thích kết tinh của lớp YSZ. Chúng tôi cũng tiến hành quan sát kích thước hạt silic bằng kính hiển vi điện tử quét. Kết quả cho thấy kích thước hạt của silic trên lớp YSZ đồng đều hơn so với trên đế thuỷ tinh. Mặt khác, khi chiếu xạ với cường độ chùm lade yếu, mặc dù thời gian kết tinh lâu hơn nhưng chất lượng kết tinh của màng silic tốt hơn so với khi chiếu xạ với cường độ lớn. Dựa vào những kết quả đạt được ở trên, chúng tôi đưa ra mô hình kết tinh màng silic trên lớp kích thích YSZ.
ABSTRACT
The solid-phase crystallization of amorphous Si films with/without a crystallization-induction (CI) layer of yttria-stabilized zirconia (YSZ) was performed using a Nd:YAG pulse laser. We investigated the crystallinity of the Si films by Raman spectroscopy. It was found that, at the same crystalline fraction, the FWHM of the crystalline silicon (c-Si) peak for Si/YSZ/glass was smaller than that for Si/glass. The result is considered to be due to the CI effect of the YSZ layer. This was confirmed by scanning electron microscopy observation, which showed that the grain size of Si on YSZ layers was more uniform than that on glass substrates. On the other hand, at a lower beam energy, the crystalline quality of the Si films was found to be better although the increase in the crystallization rate with the pulse number N is smaller. On the basis of the above results, the crystallization model of an a-Si film on a YSZ layer is speculated.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn