Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,973,272

 Cải thiện chất lượng kết tinh của màng mỏng silic kết tinh bằng phương pháp chiếu xạ hai bước sử dụng laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The Japan Society of Applied Physics-JSAP, 61st Spring Meeting; Số: 61;Từ->đến trang: 99;Năm: 2014
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Tại Hội nghị trước, chúng tôi đã báo cáo rằng phương pháp nung bằng laser xung có thể tạo ra màng mỏng silic trên lớp kích thích YSZ có chất lượng tốt hơn trên đế thuỷ tinh. Tuy nhiên, chất lượng của màng mỏng silic trở nên suy thoái tại mật độ năng lượng chùm laser cao. Nung ở mật độ năng lượng thấp có thể tạo ra màng mỏng silic có tính chất tôt nhưng mất rất nhiều thời gian để kết tinh hoàn toàn màng silic. Nhằm rút ngắn thời gian kết tinh và vẫn tạo được màng silic có tính chất tốt, chúng tôi đề xuất một phương pháp kết tinh mới hay còn gọi là phương pháp hai bước, trong đó màng silic vô định hình sẽ được chiếu xạ sử dụng hai loại năng lượng laser. Đầu tiên, màng silic vô định hình sẽ được chiếu xạ ở năng lượng thấp trong khoảng thời gian ngắn để xuất hiện hạt nhân tại vùng biên giữa màng silic và lớp bên dưới. Sau đó, tại bước thứ hai, màng silic sẽ được chiếu xạ ở năng lượng cao để thúc đẩy sự phát triển của hạt nhân, và do đó đẩy nhanh quá trình kết tinh của màng silic.
ABSTRACT
In the previous meeting, we have reported that PLA method can produce a better microcrystallized Si film quality on crystallization-induction (CI) layer of YSZ [(ZrO2)1-x(Y2O3)x], compared with that on glass substrate. However, the quality of Si film degrades at the high laser energy density E. Annealing at the low E can produce a good quality of Si film, but it takes a long time for the complete crystallization of the entire a-Si film. In order to shorten annealing time for full crystallization with good quality, we have proposed a new irradiation method or two-step method, in which an a-Si film will be irradiated using two kinds of E. First, in the initial state, it is irradiated at the low E (Ei) for a short time to occur nucleation at the interface between Si and underlayer. Next, in the second step of growth state, the Si film is irradiated at the high E (Eg) to speed up the growth from nuclei, and thus accelerate the crystallization of the Si film.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn