Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,837,174

 Cải thiện tính chất kết tinh của màng mỏng silic đa tinh thể kết tinh trên lớp kích thích YSZ bằng phương pháp kết tinh hai bước mới dùng lade xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: THE 21ST INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (2014); Số: 21;Từ->đến trang: 185-188;Năm: 2014
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Chất lượng của màng mỏng đa tinh thể silic trên lớp kích thích YSZ được cải thiện thêm bằng phương pháp hai bước kết tinh mới sử dụng lade xung, trong đó màng silic vô định hình được chiếu xạ bằng hai loại năng lượng lade. Đầu tiên, nó được chiếu xạ ở năng lượng thấp trong thời gian ngắn để tạo ra hạt nhân. Sau đó, nó được chiếu xạ ở năng lượng cao để tăng tốc quá trình kết tinh. Kết quả cho thấy tốc độ kết tinh và kích thước hạt kết tinh của màng silic bằng phương pháp hai bước lớn hơn và chất lượng kết tinh của nó tốt hơn so với dùng phương pháp truyền thống một bước. Hơn nữa, kích thước hạt của màng silic trên lớp kích thích YSZ đồng đều hơn so với trên đế thuỷ tinh. Điều này biểu thị tính hiệu quả của lớp YSZ trong việc kích thích sự kết tinh của màng silic và tính hữu ích của phương pháp hai bước trong việc cải thiện chất lượng của màng silic.
ABSTRACT
Crystalline quality of pulse-laser annealed poly-Si films on YSZ layers is further improved by a new two-step irradiation method, in which a-Si films were irradiated using two kinds of energy. Firstly, they were irradiated at low energy for a short time to generate nuclei, following by irradiation at high energy to speed up crystallization of the Si films. Crystalline fraction and grain size of Si film crystallized by the two-step method were found to be larger while its FWHM was smaller than those by the conventional one. Moreover, grain size of Si/YSZ/glass was more uniform than that of Si/glass. This indicates effectiveness of YSZ on crystallization-induction effect and usefulness of the two-step method on improving Si film quality.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn