Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,055,594

 Ứng dụng phương pháp chiếu xạ hai bước để kết tinh trên diện tích rộng màng mỏng silic đa tinh thể trên lớp kích thích YSZ
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The 11th Thin Film Materials & Devices Meeting-TFMD 11th; Số: 11;Từ->đến trang: 90-93;Năm: 2014
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Một phương pháp chiếu xạ hai bước mới được đề xuất để cải thiện chất lượng của màng mỏng silic kết tinh bằng laser xung trên lớp kích thích kết tinh YSZ, trong đó màng silic vô định hình được chiếu xạ sử dụng hai loại mật độ năng lượng laser. Đầu tiên, silic vô định hình được chiếu xạ ở mật độ năng lượng thấp trong thời gian ngắn để tạo ra hạt nhân. Sau đó, nó được chiếu xạ ở mật độ năng lượng cao để hoàn thành quá trình kết tinh. Kết quả cho thấy độ kết tinh và kích thước hạt của màng silic kết tinh bằng phương pháp hai bước đều lớn hơn và FWHM của nó nhỏ hơn so với phương pháp một bước truyền thống. Hơn nữa, kích thước hạt của cấu trúc silic/YSZ/đế thuỷ tinh đồng đều hơn so với cấu trúc silic/đế thuỷ tinh. Điều này không chỉ chứng tỏ tính hiệu quả của lớp kích thích kết tinh YSZ mà còn tính hữu ích của phương pháp hai bước trong việc cải thiện chất lượng kết tinh của màng silic
ABSTRACT
A new two-step irradiation method is proposed to improve the quality of pulsed-laser crystallized Si films on yttria-stabilized zirconia [(ZrO2)1-x(Y2O3)x: YSZ] crystallization-induction (CI) layers, in which amorphous silicon films are irradiated using two kinds of energy density. Firstly, they were irradiated at a low energy density for a short time to generate nuclei, following by irradiation at a high energy density to complete crystallization. Crystalline fraction and grain size of the Si film crystallized by the two-step method were found to be larger while its FWHM was smaller than those by the conventional one. Moreover, grain size of the Si/YSZ/glass was more uniform than that of the Si/glass. This indicates not only effectiveness of the YSZ CI layer but also usefulness of the two-step method on improving Si film quality.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn