Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,201,013
Ứng dụng phương pháp chiếu xạ hai bước để kết tinh trên diện tích rộng màng mỏng silic đa tinh thể trên lớp kích thích YSZ
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng:
The 11th Thin Film Materials & Devices Meeting-TFMD 11th;
S
ố:
11;
Từ->đến trang
: 90-93;
Năm:
2014
Lĩnh vực:
Khoa học công nghệ;
Loại:
Báo cáo;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
Một phương pháp chiếu xạ hai bước mới được đề xuất để cải thiện chất lượng của màng mỏng silic kết tinh bằng laser xung trên lớp kích thích kết tinh YSZ, trong đó màng silic vô định hình được chiếu xạ sử dụng hai loại mật độ năng lượng laser. Đầu tiên, silic vô định hình được chiếu xạ ở mật độ năng lượng thấp trong thời gian ngắn để tạo ra hạt nhân. Sau đó, nó được chiếu xạ ở mật độ năng lượng cao để hoàn thành quá trình kết tinh. Kết quả cho thấy độ kết tinh và kích thước hạt của màng silic kết tinh bằng phương pháp hai bước đều lớn hơn và FWHM của nó nhỏ hơn so với phương pháp một bước truyền thống. Hơn nữa, kích thước hạt của cấu trúc silic/YSZ/đế thuỷ tinh đồng đều hơn so với cấu trúc silic/đế thuỷ tinh. Điều này không chỉ chứng tỏ tính hiệu quả của lớp kích thích kết tinh YSZ mà còn tính hữu ích của phương pháp hai bước trong việc cải thiện chất lượng kết tinh của màng silic
ABSTRACT
A new two-step irradiation method is proposed to improve the quality of pulsed-laser crystallized Si films on yttria-stabilized zirconia [(ZrO2)1-x(Y2O3)x: YSZ] crystallization-induction (CI) layers, in which amorphous silicon films are irradiated using two kinds of energy density. Firstly, they were irradiated at a low energy density for a short time to generate nuclei, following by irradiation at a high energy density to complete crystallization. Crystalline fraction and grain size of the Si film crystallized by the two-step method were found to be larger while its FWHM was smaller than those by the conventional one. Moreover, grain size of the Si/YSZ/glass was more uniform than that of the Si/glass. This indicates not only effectiveness of the YSZ CI layer but also usefulness of the two-step method on improving Si film quality.
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn