Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,856,386

 Mở rộng diện tích kết tinh của màng mỏng silic trên lớp YSZ bằng phương pháp hai bước sử dụng lade xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The 21st International Display Workshops; Số: 21;Từ->đến trang: 159-160;Năm: 2014
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Việc mở rộng diện tích kết tinh của màng mỏng silic trên lớp YSZ bằng phương pháp hai bước sử dụng lade xung và di chuyển màng trong quá trình chiếu xạ được tiến hành một cách thành công. Chất lượng kết tinh của màng silic được cải thiện và bề mặt của nó khá bằng phẳng, không có lớp chuyển tiếp silic vô định hình tại bề mặt chung giữa màng silic và lớp YSZ. Điều này cho thấy sự kết tinh đồng đều của màng silic trên lớp YSZ.
ABSTRACT
Area expansion of Si thin films crystallized by the two-step method on YSZ layers are performed successfully by moving sample stage in PLA. Crystallinity of Si film is improved and its surface is quite smooth without incubation layer at the interface, indicating the uniform crystallinity of Si on YSZ.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn