Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,837,858

 Cải thiện chất lượng kết tinh của màng mỏng silic kết tinh trên lớp kích thích YSZ bằng phương pháp kết tinh hai bước sử dung lade xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: Japanese Journal Applied Physic; Số: 54;Từ->đến trang: 03CA01-1 đến 03CA01-8;Năm: 2015
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Chất lượng kết tinh của màng mỏng silic trên lớp kích thích YSZ được cải thiện bằng phương pháp kết tinh hai bước mới, trong đó silic vô định hình được chiếu xạ bằng hai loại cường độ năng lượng lade. Trước tiên, nó được chiếu xạ ở cường độ năng lượng thấp trong thời gian ngắn để tạo ra hạt nhân. Sau đó, nó được chiếu xạ ở cường độ năng lượng cao để kết tinh hoàn toàn. Kết quả cho thấy tốc độ kết tinh, chất lượng kết tinh, và kích thước hạt của silic kết tinh bằng phương pháp hai bước nhanh hơn, tốt hơn, và lớn hơn so với phương pháp một bước truyền thống. Hơn nữa, kích thước hạt của silic trên lớp lích thích YSZ đồng đều hơn so với trên đế thuỷ tinh. Các kết quả trên cho thấy không chỉ tính hiệu quả của lớp kích thích YSZ mà còn tính hữu ích của phương pháp kết tinh hai bước trong việc cải thiện chất lượng kết tinh của silic.
ABSTRACT
The crystalline quality of pulsed-laser-annealed micocrystalline silicon films on yttria-stabilized zirconia [(ZrO 2 ) 1%x (Y 2 O 3 ) x : YSZ] crystallization-induction (CI) layers was further improved by a new two-step irradiation method, in which amorphous silicon (a-Si) films were irradiated using two energy densities. Firstly, they were irradiated at a low energy density for a short time to generate nuclei and then at a high energy density to complete crystallization. The crystalline fraction and grain size of the Si film crystallized by the two-step method were found to be larger, while its FWHM was found to be smaller than those of the Si films crystallized by a conventional method. Moreover, the grain size of Si/YSZ/glass was more uniform than that of Si/glass. This indicates not only the effectiveness of the YSZ CI layer but also the usefulness of the two-step method in improving the Si film quality.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn