Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 111,200,519

 Thử nghiệm bước đầu về việc chế tạo transistor màng mỏng silic đa tinh thể sử dụng lớp kích thích kết tinh YSZ và phương pháp nung bằng laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The Japan Society of Applied Physics-JSAP, 62nd Spring Meeting; Số: 62;Từ->đến trang: 3;Năm: 2015
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Tại Hội nghị JSAP trước, chúng tôi đã đề xuất phương pháp hai bước sử dụng laser xung để cải thiện hơn nữa chất lượng của màng mỏng silic kết tinh trên lớp kích thích YSZ. Đầu tiên, màng mỏng silic vô định hình được chiếu xạ ở năng lượng thấp để tạo ra hạt nhân. Sau đó nó được chiếu xạ ở năng lượng cao để thúc đẩy sự phát triển của hạt nhân và kết tinh toàn bộ màng. Nhằm ứng dụng phương pháp hai bước trên diện tích rộng, chúng tôi đã thử mở rộng vùng kết tinh bằng cách di chuyển mẫu trong suốt quá trình chiếu xạ. Tại Hội nghị này, chúng tôi trình bày các kết quả nghiên cứu chi tiết về thí nghiệm mở rộng diện tích kết tinh và báo cáo các thuộc tính điển hình của transistor màng mỏng silic đa tinh thể mà chúng tôi đã chế tạo được trên diện tích mở rộng.
ABSTRACT
In the previous JSAP Meetings, we have proposed a two-step method in pulsed laser annealing to further improve the quality of Si films crystallized on yttria-stabilized zirconia [(ZrO2)1-x(Y2O3)x:YSZ] crystallization-induction (CI) layers. Firstly, a-Si films are irradiated at a low energy to generate nuclei, following by irradiation at a high energy to accelerate nuclei growth and film crystallization. For application of the two-step method to large area, we tried to expand crystallization region by moving a sample during irradiation. In this Meeting, we present detail investigation results about the expansion experiment of crystallization area and typical characteristics of a fabricated poly-Si TFT in the expanded area.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn