| Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của tính dẫn điện trong các màng mỏng silic không pha tạp và pha tạp kết tinh bằng phương pháp hai bước sử dụng lade xung trên lớp kích thích kết tinh YSZ |
| Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita |
| Nơi đăng: THE 22nd INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (2015); Số: 22;Từ->đến trang: 225-226;Năm: 2015 |
| Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế |
| TÓM TẮT |
| Tính dẫn điện cua rmangf mỏng silic kết tinh pha rắn trên lớp YSZ bằng phương pháp hai bước sử dụng lade xung được khảo sát. Sự phụ thuộc vào nhiệt độ được đo đạc cho cả màng không pha tạp và màng pha tạp phốt pho, sử dụng phép đo hiệu ứng Hall xoay chiều. Kết quả cho thấy cấu trúc Si/YSZ/thuỷ tinh thể hiện tính dẫn điện cao hơn so với cấu trúc Si/thuỷ tinh. Điều này có nghĩ là màng mỏng silic kết tinh trên lớp kích thích YSZ phù hợp hơn cho việc ứng dụng trong các thiết bị điện tử so với màng kết tinh trên đế thuỷ tinh. |
| ABSTRACT |
| Conductivities of Si thin films crystallized in solid phase with/without YSZ layers by the two-step method with pulsed laser were investigated. The temperature dependences were also measured for both undoped and P-doped films using AC Hall effect measurement. It was found that the Si/YSZ/glass structure exhibited higher conductivities than those of the Si/glass. This suggested that the Si film crystallized on the YSZ layer is more suitable for application of electronic devices, compared with the Si film on glass. |
