Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,005,447

 Tính chất điện của màng mỏng silic đa tinh thể kết tinh trên lớp kích thích YSZ bằng phương pháp kết tinh hai bước sử dụng laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The Japan Society of Applied Physics-JSAP, 76th Autumn Meeting; Số: 76;Từ->đến trang: 125;Năm: 2015
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Tại Hội nghị JSAP trước, chúng tôi đã báo cáo rằng chất lượng kết tinh của màng mỏng silic được cải thiện bằng việc sử dung lớp kích thích kết tinh YSZ kết hợp với phương pháp nung bằng laser xung. Trong phương pháp hai bước, màng mỏng silic vô định hình đầu tiên được chiếu xạ ở năng lượng thấp để tạo ra hạt nhân. Sau đó, nó được chiếu xạ ở năng lượng cao để thúc đẩy sự phát triển hạt nhân và kết tinh toàn bộ màng. Tại Hội nghị này, chúng tôi trình bày các kết quả nghiên cứu chi tiết về thuộc tính điện của màng silic kết tinh trên lớp YSZ bằng phương pháp hai bước. Phép đo được tiến hành bằng cách đo hiệu ứng Hall xoay chiều và dùng phương pháp Van der Pauw. Từ các kết quả đạt được về tính dẫn điện bao gồm cả nồng độ hạt tải và độ linh động Hall, chúng tôi sẽ thảo luận về hiệu ứng kích thích của lớp YSZ.
ABSTRACT
In the previous JSAP Meetings,[1,2] we have reported that crystalline quality of Si films was further improved by using the yttria-stabilized zirconia [(ZrO2)1-x(Y2O3)x:YSZ] crystallization-induction (CI) layer combined with two-step irradiation method in PLA. In the two-step method, a-Si films were firstly irradiated at a low energy to generate nuclei, following by irradiation at a high energy to accelerate nuclei growth and film crystallization. In this Meeting, we present detailed investigation results about electrical property of the Si films crystallized on YSZ layers by the two-step method. The measurement was performed by using AC Hall effect and the Van der Pauw method. From the results, we will discuss the CI effect of YSZ layer on the measured conductivity σ, including the carrier concentration n and Hall mobility µH.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn