Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,038,954

 Kết tinh màng silic trên màng kim loại bằng phương pháp kết tinh hai bước sử dụng lade xung và lớp kích thích kết tinh YSZ
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The Japan Society of Applied Physics-JSAP, 75th Autumn Meeting; Số: 75;Từ->đến trang: 102;Năm: 2015
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Tại Hội nghị trước, chúng tôi đã đề xuất một phương pháp chiếu xạ hai bước mới dùng laser xung để cải thiện hơn nữa chất lượng kết tinh của màng silic trên lớp kích thích kết tinh YSZ so với phương pháp một bước truyền thống. Trong phương pháp hai bước, một màng mỏng silic vô định hình được nung trên lớp YSZ sử dụng hai loại mật độ năng lượng laser. Đầu tiên, nó được chiếu xạ ở mật độ năng lượng thấp trong thời gian ngắn để thúc đẩy sự tạo hạt nhân tại vùng biên giữa silic và lớp YSZ mà không tạo hạt nhân bên trong khối silic. Tiếp theo, tại bước thứ hai, màng silic được chiếu xạ ở mật độ năng lượng cao hơn để thúc đẩy sự kết tinh của nó. Để chế tạo transistor màng mỏng silic đa tinh thể loại cực cổng đáy, điều kiện nung tối ưu của cấu trúc silic/YSZ/kim loại/đế thuỷ tinh cần phải được tìm ra. Tại Hội nghị này, chúng tôi báo cáo các kết quả nghiên cứu chi tiết về chất lượng kết tinh của màng silic trên YSZ/kim loại/đế thuỷ tinh bằng phương pháp hai bước và so sánh với cấu trúc không có kim loại.
ABSTRACT
In the previous meeting, we have proposed a new two-step irradiation method with pulse laser annealing (PLA) for further improving quality of microcrystallized Si film on crystallization-induction (CI) layer of YSZ [(ZrO2)1-x(Y2O3)x], compared with the conventional one-step method. In the two-step method, an a-Si film is irradiated on a YSZ layer covering a glass substrate, using two kinds of energy densities E. At first, in the initial stage, it is irradiated at a low E for a short time to promote nucleation at the interface between Si and YSZ with perfect suppression of bulk-nucleation. Next, in the second step of growth stage, the Si film is irradiated at a higher E to speed up its crystallization. In order to fabricate poly-Si TFTs with a bottom gate, the optimum annealing condition of a Si/YSZ/metal/glass structure should be found for crystallization in the two-step method. In this meeting, we report the detailed investigation results of crystallized Si films quality on YSZ/metal/glass by the two-step method, comparing with the structures without metal films.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn