Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,055,143

 Các tính chất điện của màng mỏng Si kết tinh trên lớp kích thích kết tinh YSZ bằng phương pháp chiếu xạ hai bước sử dụng chùm laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The 12th Thin Film Materials & Devices Meeting-TFMD 12th; Số: 12;Từ->đến trang: 66-69;Năm: 2015
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Màng mỏng silic vô định hình trên lớp YSZ được kết tinh ở pha rắn bằng phương pháp nung hai bước sử dụng chùm laser xung. Cấu trúc kết tinh bề mặt và các tính chất điện của màng silic kết tinh đã được khảo sát. Phép đo RHEED cho thấy rằng định hướng ưu tiên (111) của lớp YSZ được chuyển vào màng silic kết tinh nhờ vào hiệu ứng kích thích kết tinh của lớp YSZ. Kết quả của các phép đo điện trở xuất và hiệu ứng Hall xoay chiều đối với màng không pha tạp và pha tạp phốt pho cho thấy rằng cả màng Si/YSZ/đế thuỷ tinh không pha tạp và pha tạp phốt pho đều có độ dẫn điện cao hơn so với màng Si/đế thuỷ tinh. Chúng tôi cũng đã chế tạo TFT từ màng poly-Si trên hai cấu trúc Si/đế thuỷ tinh và Si/YSZ/đế thuỷ tinh. Kết quả cho thấy TFT chế tạo trên cấu trúc Si/YSZ/đế thuỷ tinh thể hiện các đặc tính tốt hơn và sự đồng đều giữa các thiết bị cũng vượt trội hơn so với cấu trúc Si/đế thuỷ tinh. Kết quả này được cho là do chất lượng kết tinh của màng silic trên đế YSZ/đế thuỷ tinh tốt hơn và sự phân bố các hạt silic cũng như sự phân bố của các khuyết tật tinh thể đồng đều hơn so với trên đế thuỷ tinh. Điều này thể hiện tính hiệu quả của hiệu ứng kích thích kết tinh của lớp YSZ.
ABSTRACT
Amorphous Si thin films on YSZ layers were crystallized in solid phase by the two-step method with pulsed laser. The surface crystalline structure and electrical properties of the crystallized Si films were investigated. It was found from RHEED measurement that the (111)-preferential orientation of the YSZ was transferred into the crystallized Si film, thanks to the crystallization-induction (CI) effect of the YSZ. From resistivity and AC Hall effect measurements for both undoped and P-doped films, it was found that both the undoped and P-doped Si/YSZ/glass films showed higher conductivities than those of the Si/glass. We also fabricated poly-Si TFTs on the two structures of the Si/glass and Si/YSZ/glass. It was found that the TFTs fabricated on the Si/YSZ/glass exhibit a relatively better performance and superior device-to-device uniformity than those on the Si/glass. This result is considered owing to the better crystalline quality of the Si film on the YSZ/glass and uniform distribution of grains as well as crystalline defects, which indicating effectiveness of the CI effect of the YSZ layer.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn