Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,067,950

 Đặc tính cao và tính đồng đều của transistor màng mỏng silic đa tinh thể được kết tinh pha rắn trên lớp YSZ bằng phương pháp nung hai bước dùng laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: The 22nd International Display Workshops; Số: 22;Từ->đến trang: 226-227;Năm: 2015
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Transistor màng mỏng silic đa tinh thể được chế tạo bằng phương pháp nung hai bước sử dụng laser xung trên hai loại đế là đế thuỷ tinh và YSZ/đế thuỷ tinh. Các transistor được chế tạo trên YSZ/đế thuỷ tinh có đặc tính tốt hơn và đồng đều hơn, ví dụ như độ linh động trung bình ~80 cm2/Vs và độ lệch chuẩn của nó ~18 cm2/Vs, so với ~40 cm2/Vs và ~28 cm2/Vs đối với các transistor được chế tạo trên đế thuỷ tinh.
ABSTRACT
Poly-Si TFTs were fabricated by two-step PLA method on two kinds of substrates, glass and YSZ/glass. TFTs on YSZ/glass show much better performance and uniformity of device-to-device, e.g., average mobility ~80 cm2/Vs and its standard deviation ~18 cm2/Vs, respectively, compared with ~40 cm2/Vs and ~28 cm2/Vs on glass, respectively.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn