Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 106,067,950
Đặc tính cao và tính đồng đều của transistor màng mỏng silic đa tinh thể được kết tinh pha rắn trên lớp YSZ bằng phương pháp nung hai bước dùng laser xung
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng:
The 22nd International Display Workshops;
S
ố:
22;
Từ->đến trang
: 226-227;
Năm:
2015
Lĩnh vực:
Khoa học công nghệ;
Loại:
Báo cáo;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
Transistor màng mỏng silic đa tinh thể được chế tạo bằng phương pháp nung hai bước sử dụng laser xung trên hai loại đế là đế thuỷ tinh và YSZ/đế thuỷ tinh. Các transistor được chế tạo trên YSZ/đế thuỷ tinh có đặc tính tốt hơn và đồng đều hơn, ví dụ như độ linh động trung bình ~80 cm2/Vs và độ lệch chuẩn của nó ~18 cm2/Vs, so với ~40 cm2/Vs và ~28 cm2/Vs đối với các transistor được chế tạo trên đế thuỷ tinh.
ABSTRACT
Poly-Si TFTs were fabricated by two-step PLA method on two kinds of substrates, glass and YSZ/glass. TFTs on YSZ/glass show much better performance and uniformity of device-to-device, e.g., average mobility ~80 cm2/Vs and its standard deviation ~18 cm2/Vs, respectively, compared with ~40 cm2/Vs and ~28 cm2/Vs on glass, respectively.
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn