Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,034,881

 Các tính chất vật liệu của màng mỏng Si kết tinh bằng laser xung trên lớp kích thích kết tinh oxit zơconi được ổn định bằng oxit yttri sử dụng phương pháp chiếu xạ hai bước
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: Japanese Journal Applied Physic; Số: 55;Từ->đến trang: 1-8;Năm: 2016
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Màng mỏng silic vô định hình lắng đọng trên lớp YSZ được kết tinh trên diện tích rộng ở pha rắn bằng phương pháp hai bước dùng chùm laser xung. Chất lượng kết tinh, sự khuếch tán của tạp chất, và các tính chất điện của màng silic kết tinh được khảo sát. Kết quả cho thấy chất lượng kết tinh của màng mỏng silic được cải thiện, bề mặt màng bằng phẳng, không có lớp ủ vô định hình tại bề mặt chung với lớp YSZ. Điều này chứng tỏ sự kết tinh đồng đều của màng silic trên lớp YSZ. Sự khuếch tán của Zr và Y vào màng mỏng silic nhỏ hơn 1017 nguyên tử/cm3. Chúng tôi đã khảo sát các tính chất điện gồm nồng độ hạt tải và độ linh động Hall của màng silic có và không có lớp YSZ bằng các phép đo điện trở suất và hiệu ứng Hall xoay chiều. Sự phụ thuộc vào nhiệt độ và nồng độ pha tạp đã được đo cho cả màng không pha tạp và pha tạp P. Kết quả cho thấy cả màng không pha tạp và pha tạp của cấu trúc silic/YSZ/đế thuỷ tinh cho thấy độ linh động và nồng độ hạt tải cao hơn (và do đó độ dẫn điện cao hơn) so với cấu trúc silic/đế thuỷ tinh. Điều này chứng tỏ cấu trúc silic/YSZ/đế thuỷ tinh có số lượng tạp chất ít hơn so với cấu trúc silic/đế thuỷ tinh. Các kết quả trên cho thấy màng silic kết tinh trên lớp YSZ phù hợp hơn cấu trúc silic/đế thuỷ tinh trong việc ứng dụng vào các thiết bị điện tử.
ABSTRACT
Amorphous Si thin films on yttria-stabilized zirconia (YSZ) layers were crystallized widely in solid phase by the two-step method with a pulsed laser, moving the sample stage. The crystalline quality, impurity diffusion, and electrical properties of the crystallized Si films were investigated. It was found that the crystallinity of the Si thin films was improved and their surface was smooth without an incubation layer at the interface, indicating the uniform crystallinity of Si on YSZ. The diffusion of Zr and Y into the Si thin films was as small as or smaller than the order of 1017 atoms/cm3. We evaluated the electrical properties of carrier concentration and Hall mobility of the Si thin films with/without YSZ layers by using the resistivity and AC Hall effect measurements. The temperature and doping concentration dependences were measured for both undoped and P-doped films. It was found that both the undoped and P-doped Si/YSZ/glass films showed higher mobilities and carrier concentrations (and therefore higher conductivities), which indicate a smaller number of defects, than the Si/glass films. This suggested that the Si film crystallized on the YSZ layer is more suitable for application to electronic devices than the Si film on glass.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn