Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,201,013
Ảnh hưởng của màng mỏng kim loại đến chất lượng kết tinh của màng mỏng Silic
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng:
TC Khoa học và Giáo dục - Trường ĐHSP - ĐHĐN (Ngành Toán, Ngôn ngữ học, Văn học);
S
ố:
24(03).2017;
Từ->đến trang
: 13-18;
Năm:
2017
Lĩnh vực:
Tự nhiên;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Trong nước
TÓM TẮT
Dựa trên các kết quả thu được cho hai cấu trúc Si/thuỷ tinh và Si/YSZ*/thuỷ tinh, chúng tôi đã khảo sát chất lượng của cấu trúc Si/YSZ/kim loại/thuỷ tinh kết tinh pha rắn bằng các phương pháp một bước và hai bước sử dụng chùm laser xung. Kết quả cho thấy, với cùng thời gian nung và tổng mật độ năng lượng thấp hơn, phương pháp hai bước tạo ra độ kết tinh cao hơn và chất lượng kết tinh tốt hơn so với phương pháp một bước. Điều này chứng tỏ tính hiệu quả của phương pháp hai bước trong việc cải thiện chất lượng kết tinh của màng Si trên YSZ/kim loại/thuỷ tinh. Hơn nữa, lớp kim loại có một chút tác dụng nhiệt lên việc đẩy nhanh quá trình kết tinh của màng Si. Các điều kiện nung được tối ưu để chế tạo transistor màng mỏng poly-Si điện cực đáy (*YSZ: Yttria-Stabilized Zirconia).
ABSTRACT
On the basis of the results obtained from the Si/glass and Si/YSZ*/glass, we investigated the quality of the solid-phase Si/YSZ/metal/glass structure crystallized by both the one-step method and the two-step method using pulse laser clusters. It was found that given the same heating time and a lower total irradiation energy density, the two-step method resulted in a higher crystallization degree and better crystallization quality compared to the one-step method. This proved the effectiveness of the two-step method in improving the crystallization quality of Si films on YSZ/metal/glass. Moreover, the metal layer has a small heating effect on accelerating the crystallization of the Si film. Heating conditions were optimized for the fabrication of bottom-gate poly-Si thin-film transistors (* YSZ: Yttria--Stabilized Zirconia).
[
2018\2018m010d011_15_58_203.Mai_Thi_Kieu_Lien-13.pdf
]
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn