Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,990,370

 Ảnh hưởng của màng mỏng kim loại đến chất lượng kết tinh của màng mỏng Silic
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: TC Khoa học và Giáo dục - Trường ĐHSP - ĐHĐN (Ngành Toán, Ngôn ngữ học, Văn học); Số: 24(03).2017;Từ->đến trang: 13-18;Năm: 2017
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Dựa trên các kết quả thu được cho hai cấu trúc Si/thuỷ tinh và Si/YSZ*/thuỷ tinh, chúng tôi đã khảo sát chất lượng của cấu trúc Si/YSZ/kim loại/thuỷ tinh kết tinh pha rắn bằng các phương pháp một bước và hai bước sử dụng chùm laser xung. Kết quả cho thấy, với cùng thời gian nung và tổng mật độ năng lượng thấp hơn, phương pháp hai bước tạo ra độ kết tinh cao hơn và chất lượng kết tinh tốt hơn so với phương pháp một bước. Điều này chứng tỏ tính hiệu quả của phương pháp hai bước trong việc cải thiện chất lượng kết tinh của màng Si trên YSZ/kim loại/thuỷ tinh. Hơn nữa, lớp kim loại có một chút tác dụng nhiệt lên việc đẩy nhanh quá trình kết tinh của màng Si. Các điều kiện nung được tối ưu để chế tạo transistor màng mỏng poly-Si điện cực đáy (*YSZ: Yttria-Stabilized Zirconia).
ABSTRACT
On the basis of the results obtained from the Si/glass and Si/YSZ*/glass, we investigated the quality of the solid-phase Si/YSZ/metal/glass structure crystallized by both the one-step method and the two-step method using pulse laser clusters. It was found that given the same heating time and a lower total irradiation energy density, the two-step method resulted in a higher crystallization degree and better crystallization quality compared to the one-step method. This proved the effectiveness of the two-step method in improving the crystallization quality of Si films on YSZ/metal/glass. Moreover, the metal layer has a small heating effect on accelerating the crystallization of the Si film. Heating conditions were optimized for the fabrication of bottom-gate poly-Si thin-film transistors (* YSZ: Yttria--Stabilized Zirconia).
[ 2018\2018m010d011_15_58_203.Mai_Thi_Kieu_Lien-13.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn