Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,004,506

 HIỆU SUẤT THIẾT BỊ CỦA TRASISTOR MÀNG MỎNG POLY-Si CHẾ TẠO TRÊN LỚP KÍCH THÍCH KẾT TINH YSZ BẰNG PHƯƠNG PHÁP NUNG HAI BƯỚC SỬ DỤNG LASER XUNG
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita
Nơi đăng: TC Khoa học và Giáo dục - Trường ĐHSP - ĐHĐN (Ngành Toán, Ngôn ngữ học, Văn học); Số: 26(05).2017;Từ->đến trang: 18-22;Năm: 2017
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã chế tạo và khảo sát hiệu suất thiết bị của các transistor màng mỏng poly-Si bằng phương pháp nung hai bước sử dụng chùm laser xung trên hai loại đế là thuỷ tinh và YSZ/thuỷ tinh. Kết quả cho thấy các transistor màng mỏng trên đế YSZ/thuỷ tinh có hiệu suất và sự đồng đều giữa các thiết bị tốt hơn, ví dụ như độ linh động trung bình là ~80 cm2/Vs và độ lệch chuẩn của nó là ~18 cm2/Vs, so với ~40 cm2/Vs và ~28 cm2/Vs của các transistor màng mỏng trên đế thuỷ tinh. Kết quả này được coi là nhờ chất lượng tinh thể tốt hơn của màng Si trên đế YSZ/thủy tinh và sự phân bố đồng đều các hạt cũng như các khuyết tật tinh thể, thể hiện tính hiệu quả của hiệu ứng kích thích kết tinh của lớp YSZ. (*YSZ: Yttria-Stabilized Zirconia)
ABSTRACT
In this study, we fabricated and investigated device performance of poly-Si thin-film transistors (TFTs) via a two-step pulsed-laser annealing (PLA) method on two kinds of substrates namely glass and YSZ*/glass. It was found that TFTs on YSZ/glass exhibited much better performance and uniformity among devices, e.g., they showed an average mobility of ~80 cm2/Vs and standard deviation of ~18 cm2/Vs, respectively, compared with ~40 cm2/Vs and ~28 cm2/Vs of TFTs on glass substrates, respectively. This result can be attributed to the better crystalline quality of the Si film on the YSZ/glass and the uniform distribution of grains as well as crystalline defects, which demonstrates the effectiveness of the crystallization-induction effect of the YSZ layer. (*YSZ: Yttria-Stabilized Zirconia)
[ bai bao-mai thi kieu lien-khoa ly.docx ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn