Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,690,974

 Các tính chất hồi đáp quang học của màng BaSi2 bốc bay trên đế điều chỉnh ứng dụng trong chế tạo pin mặt trời màng mỏng
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Nơi đăng: JSPS 15th Symposium on the Future Direction of Photovoltaics; Số: PB-36;Từ->đến trang: 148;Năm: 2018
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Bán dẫn hợp chất bari đi-silic (BaSi2) là vật liệu đang thu hút nhiều sự chú ý trong ứng dụng chế tạo pin mặt trời màng mỏng nhờ vào một số tính chất vượt trội của nó, đó là vùng cấm thích hợp 1.3 eV, hệ số hấp thụ cao (~ 3 × 104 cm-1 ở 1.5 eV), thời gian sống của hạt tải không chủ yếu dài (~ 10 μs), và thành phần phân tử phong phú trong tự nhiên. Bốc bay nhiệt (TE) là phương pháp thích hợp để chế tạo BaSi2 trong ứng dụng thực tế trên diện tích lớn. Sử dụng phương pháp này, BaSi2 được lắng đọng thành công trên nhiều đế phẳng khác nhau như Si, thủy tinh và CaF2.Sự điều chỉnh bề mặt của đế Si trước khi lắng đọng màng BaSi2 sẽ cải thiện khả năng hấp thụ bằng cách giam giữ ánh sáng và có ảnh hưởng đến các tính chất hồi đáp quang học của màng.Trong nghiên cứu trước, kết quả thực nghiệm của chúng tôi đã cho thấy các màng mỏng BaSi2 lắng đọng trên đế Si đã được điều chỉnh có chất lượng kết tinh và tính chất quang học tốt hơn so với các màng lắng đọng trên đế Si phẳng. Trong nghiên cứu này, chúng tôi khảo sát và so sánh các tính chất hồi đáp quang học của màng mỏng BaSi2 lắng đọng trên đế Si đã được điều chỉnh và đế Si phẳng. Kết quả thu được cho thấy màng BaSi2 lắng đọng trên đế Si đã được điều chỉnh có sự hồi đáp quang học tốt hơn so với màng BaSi2 lắng đọng trên đế Si phẳng.
ABSTRACT
Barium disilicide (BaSi2) semiconductor has been an attractive material for thin-film solar cell application thanks to its properties, which are appropriate band gap of 1.3 eV, high absorption coefficient (~3×104 cm-1 at 1.5 eV), long minority carrier lifetime (~10 μs), and abundant-element components. Thermal evaporation (TE) is a suitable method to fabricate BaSi2 on large-scale area. Using this method, BaSi2 was successfully grown on various flat substrates such as Si, Ge, glass, and CaF2. Surface modification of the Si substrate before growing BaSi2 would improve absorptance by light trapping, and give impact on photoresponse properties. In the previous report, we showed that BaSi2 films grown on the modified Si substrates have better crystalline quality as well as optical properties than that on the flat one. In this study, we investigated and compared the photoresponse properties of evaporated BaSi2 films on modified and flat Si substrates. The obtained results showed that the film grown on the former also have better photoresponse properties than that on the latter.
[ 2018\2018m010d011_21_10_38Bai_bao_cao.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn