Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,048,782

 Bốc bay nhiệt màng mỏng BaSi2 trên đế Ge (100) – Tác dụng của sự điều chỉnh đế lên chất lượng màng
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Nơi đăng: Annual report of Venture Business Laboratory, Nagoya University, Japan; Số: 29;Từ->đến trang: 92-97;Năm: 2018
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Chúng tôi đã chế tạo thành công màng bari đi-silic (BaSi2) có cấu trúc trực giao, dày 200 nm trên các đế Ge phẳng và đế Ge được điều chỉnh bề mặt bằng phương pháp bốc bay nhiệt ở 500 oC cùng với việc sử dụng lớp cung cấp Si vô định hình. Với thời gian khắc đế ngắn (dưới 15 phút), sự điều chỉnh bề mặt đế không có tác dụng đáng kể trong việc cải thiện chất lượng kết tinh cũng như các tính chất quang học của màng mỏng BaSi2 so với việc dùng đế phẳng. Khi thời gian khắc là 15 phút, chất lượng kết tinh và các tính chất quang học cải thiện đáng kể. Tại thời gian khắc này, thời gian sống của hạt tải không chủ yếu là 3,17 μs, là một trong số những giá trị cao nhất được báo cáo cho màng mỏng BaSi2. Khi thời gian khắc lớn hơn 15 phút, chất lượng kết tinh của màng BaSi2 bị suy thoái mặc dù các tính chất quang vẫn được cải thiện. Vì thế, thời gian khắc 15 phút được chọn là điều kiện tối ưu để điều chỉnh bề mặt đế Ge.
ABSTRACT
We have grown successfully the 200 nm-thick orthorhombic barium disilicide (BaSi2) films on flat and modified Ge substrates by thermal evaporation method at 500 oC with an amorphous Si supply layer. At short etching time te (less than 15 min), the substrate modification had negligible impact in improving the crystalline quality and optical properties of the BaSi2 films in comparison with using flat substrate. When te is 15 min, the crystalline quality as well as optical properties was improved significantly. The obtained minority-carrier lifetime at this te was 3.17 μs, which is among the highest value ever reported for BaSi2 thin-film. When te was beyond 15 min, the crystalline quality of BaSi2 film was degraded although its optical properties were still improved. Therefore, te of 15 min was chosen as the optimized condition for surface modification of Ge substrate.
[ 2018\2018m010d011_21_14_32Manuscript_for_VBL_report.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn