Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,076,469

 ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ ĐIỀU CHỈNH ĐẾ ĐẾN CÁC TÍNH CHẤT QUANG VÀ ĐIỆN CỦA CÁC MÀNG MỎNG BaSi2 ĐƯỢC BỐC BAY NHIỆT TRONG ỨNG DỤNG CHẾ TẠO PIN MẶT TRỜI
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Nơi đăng: 10th International Workshop on crystalline Silicon for solar cells (CSSC-10); Số: 4-34;Từ->đến trang: 56;Năm: 2018
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Hiện nay, mặc dù Si được sử dụng rộng rãi cho các ứng dụng pin mặt trời, chi phí sản xuất cao và hạn chế về hiệu suất là hai nhược điểm chính của vật liệu này. Những nhược điểm này có thể được giải quyết bằng cách sử dụng bari đi-silic (BaSi2) nhờ tính chất của nó, đó là vùng cấm thích hợp 1.3 eV, hệ số hấp thụ cao (~ 3 × 104 cm-1 ở 1.5 eV), thời gian sống của hạt tải không chủ yếu dài (~ 10 μs), và thành phần phân tử phong phú trong tự nhiên. Do đó, BaSi2 đã được nghiên cứu như một vật liệu đầy hứa hẹn cho pin mặt trời màng mỏng. Bốc bay nhiệt (TE) là phương pháp thích hợp để chế tạo BaSi2 trong ứng dụng thực tế trên diện tích lớn. Sử dụng phương pháp này, BaSi2 được lắng đọng thành công trên nhiều đế phẳng khác nhau như Si, thủy tinh và CaF2.Sự điều chỉnh bề mặt của đế Si sẽ cải thiện khả năng hấp thụ bằng cách giam giữ ánh sáng và sự gia tăng diện tích giao diện BaSi2 / Si có thể ảnh hưởng đến các tính chất điện.Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã điều chỉnh bề mặt của đế Si bằng phương pháp khắc hóa học sử dụng kim loại làm chất xúc tác mà không cần quá trình hút chân không. Sau đó, chúng tôi lắng đọng màng BaSi2 trên cả hai đế Si đã được điều chỉnh và đế Si phẳng bằng phương pháp TE. Tiếp theo, chúng tôi đã khảo sát các tính chất quang và điện của màng BaSi2 trên đế Si đã được điều chỉnh và đế Si phẳng. Kết quả cho thấy các màng mỏng lắng đọng trên đế Si đã được điều chỉnh có tính chất tốt hơn so với các màng lắng đọng trên đế Si phẳng.
ABSTRACT
At present, although Si is widely used for solar cell applications, high production cost and limitation of efficiency are two main drawbacks of this material. These problems can be solved by using barium disilicide (BaSi2) thanks to its properties, which are appropriate band gap of 1.3 eV, high absorption coefficient (~3×104 cm-1 at 1.5 eV), long minority carrier lifetime (~10 μs), and abundant-element components. Therefore, BaSi2 has been studied as a promising material for thin-film solar cells. Thermal evaporation (TE) is a suitable method to fabricate BaSi2 for practical application on large-scale area. Using this method, BaSi2 was successfully grown on various flat substrates such as Si, glass, and CaF2. Surface modification of the Si substrate would improve absorptance by light trapping, and increasing BaSi2/Si interface might give impact on electrical properties. In this study, wemodified the surface of Si substrate by metal-assisted chemical etching method without a vacuum process. Then, we deposited BaSi2 films on both modified and flat Si substrates by TE method. After that, we characterized optical and electrical properties of evaporated BaSi2 films on modified and flat Si substrates. The results showed that the films grown on the formers have better properties than that on the latter.
[ 2018\2018m010d011_21_16_49Noi_dung_bai_bao.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn