Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,016,898

 CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT MÀNG MỎNG BaSi2 ĐƯỢC LẮNG ĐỌNG NHIỆT TRÊN ĐẾ ĐIỀU CHỈNH Ge (100)
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Nơi đăng: Global Photovoltaic Conference 2018; Số: CSi P-0;Từ->đến trang: 204-205;Năm: 2018
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã điều chỉnh bề mặt của đế Ge bằng một phương pháp đơn giản. Trước khi lắng đọng màng BaSi2 bằng phương pháp bốc bay nhiệt, một lớp silic vô định hình được lắng đọng trên đế Ge để đạt được màng BaSi2 đúng hệ số tỷ lượng. Sau đó, chúng tôi khảo sát chất lượng và các tính chất của BaSi2. Kết quả đạt được cho thấy màng BaSi2 đúng hệ số tỷ lượng đã được lắng đọng thành công trên đế Ge phẳng và điều chỉnh. Màng lắng đọng trên đế điều chỉnh có chất lượng tốt hơn và độ hấp thụ cao hơn so với màng trên đế phẳng. Điều này gợi ý rằng màng BaSi2 trên đế điều chỉnh Ge là một chất hấp thụ đầy hứa hẹn để chế tạo các pin mặt trời màng mỏng.
ABSTRACT
In this study, we modified the surface of germanium (Ge) substrate by a simple method. Before growing barium disilicide (BaSi2) by thermal evaporation, an amorphous silicon supply layer was deposited to achieve stoichiometric BaSi2 film. Then, we characterized the quality and properties of BaSi2. The obtained results showed that orthorhombic BaSi2 was successfully grown on modified and flat Ge substrates. The film grown on modified substrate has better quality and higher absorptance than that on flat one. This suggests that the BaSi2 on modified Ge is a promising absorber for thin-film solar cells.
[ 2018\2018m010d011_21_18_54Noi_dung_bai_bao_cao.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn