Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,043,292

 Ảnh hưởng của sự điều chỉnh đế Ge lên các tính chất hồi đáp quang học của màng BaSi2 trong ứng dụng chế tạo pin mặt trời
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Nơi đăng: The Japan Society of Applied Physics (JSAP), 79th Autumn Meeting, 2018; Số: 19a-436-3;Từ->đến trang: 116;Năm: 2018
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Chất bán dẫn bari đisilic (BaSi2) là vật liệu rất được chú ý trong ứng dụng chế tạo pin mặt trời màng mỏng nhờ vào các tính chất của nó. Đó là vùng cấm thích hợp khoảng 1,3 eV, hệ số hấp thụ cao (~3×104 cm-1 tại 1,5 eV), thời gian sống của hạt tải không chủ yếu dài (~10 μs) và các thành phần cấu thành khá dồi dào trong tự nhiên. Bốc bay nhiệt là một phương pháp thích hợp để chế tạo BaSi2 trên phạm vi diện tích rộng. Sử dụng phương pháp này, BaSi2 đã được chế tạo thành công trên nhiều đế phẳng khác nhau như Si, Ge, thuỷ tinh, và CaF2. Sự điều chỉnh bề mặt của đế Si trước khi chế tạo BaSi2 sẽ cải thiện độ hấp thụ của màng bằng việc giam giữ ánh sáng và có ảnh hưởng đến các tính chất hồi đáp quang học. Kết quả thí nghiệm cho thấy màng BaSi2 bốc bay trên đế điều chỉnh có tính chất hồi đáp quang học tốt hơn so với màng bốc bay trên đế phẳng.
ABSTRACT
Barium disilicide (BaSi2) semiconductor has been an attractive material for thin-film solar cell application thanks to its properties, which are appropriate band gap of 1.3 eV, high absorption coefficient (~3×104 cm-1 at 1.5 eV), long minority carrier lifetime (~10 μs), and abundant-element components. Thermal evaporation is a suitable method to fabricate BaSi2 on large-scale area. Using this method, BaSi2 was successfully grown on various flat substrates such as Si, Ge, glass, and CaF2. Surface modification of the Si substrate before growing BaSi2 would improve absorptance by light trapping, and give impact on photoresponse properties. The obtained results showed that the BaSi2 film grown on the modified substrate have better photoresponse properties than that on the flat one.
[ 2018\2018m010d014_22_24_10Abstract_for_JSAP_79th_Autumn_Meeting-Lien-2.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn