Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 106,043,292
Ảnh hưởng của sự điều chỉnh đế Ge lên các tính chất hồi đáp quang học của màng BaSi2 trong ứng dụng chế tạo pin mặt trời
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Mai Thi Kieu Lien, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Nơi đăng:
The Japan Society of Applied Physics (JSAP), 79th Autumn Meeting, 2018;
S
ố:
19a-436-3;
Từ->đến trang
: 116;
Năm:
2018
Lĩnh vực:
Tự nhiên;
Loại:
Báo cáo;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
Chất bán dẫn bari đisilic (BaSi
2
) là vật liệu rất được chú ý trong ứng dụng chế tạo pin mặt trời màng mỏng nhờ vào các tính chất của nó. Đó là vùng cấm thích hợp khoảng 1,3 eV, hệ số hấp thụ cao (~3×10
4
cm
-1
tại 1,5 eV), thời gian sống của hạt tải không chủ yếu dài (~10 μs) và các thành phần cấu thành khá dồi dào trong tự nhiên. Bốc bay nhiệt là một phương pháp thích hợp để chế tạo BaSi
2
trên phạm vi diện tích rộng. Sử dụng phương pháp này, BaSi
2
đã được chế tạo thành công trên nhiều đế phẳng khác nhau như Si, Ge, thuỷ tinh, và CaF
2
. Sự điều chỉnh bề mặt của đế Si trước khi chế tạo BaSi
2
sẽ cải thiện độ hấp thụ của màng bằng việc giam giữ ánh sáng và có ảnh hưởng đến các tính chất hồi đáp quang học. Kết quả thí nghiệm cho thấy màng BaSi
2
bốc bay trên đế điều chỉnh có tính chất hồi đáp quang học tốt hơn so với màng bốc bay trên đế phẳng.
ABSTRACT
Barium disilicide (BaSi
2
) semiconductor has been an attractive material for thin-film solar cell application thanks to its properties, which are appropriate band gap of 1.3 eV, high absorption coefficient (~3×10
4
cm
-1
at 1.5 eV), long minority carrier lifetime (~10 μs), and abundant-element components. Thermal evaporation is a suitable method to fabricate BaSi
2
on large-scale area. Using this method, BaSi
2
was successfully grown on various flat substrates such as Si, Ge, glass, and CaF
2
. Surface modification of the Si substrate before growing BaSi
2
would improve absorptance by light trapping, and give impact on photoresponse properties. The obtained results showed that the BaSi
2
film grown on the modified substrate have better photoresponse properties than that on the flat one.
[
2018\2018m010d014_22_24_10Abstract_for_JSAP_79th_Autumn_Meeting-Lien-2.pdf
]
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn