Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 106,073,848
Chế tạo và khảo sát các tính chất của màng mỏng BaSi
2
bốc bay nhiệt trên đế điều chỉnh Ge (100)
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Mai Thi Kieu Lien, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Nơi đăng:
Thin Solid Films;
S
ố:
663;
Từ->đến trang
: 14-20;
Năm:
2018
Lĩnh vực:
Tự nhiên;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
Việc chế tạo màng mỏng bari đisilic (BaSi
2
) trên đế điều chỉnh gecmani (Ge) bằng phương pháp bốc bay nhiệt đã được chứng minh, trong đó sự điều chỉnh bề mặt đế Ge được thực hiện bằng một phương pháp khắc hoá học đơn giản. Ảnh hưởng của thời gian khắc lên chất lượng kết tinh và các tính chất quang của BaSi
2
đã được khảo sát. Các kết quả thí nghiệm chỉ ra rằng sự điều chỉnh đế có tác dụng tích cực trong việc cải thiện chất lượng kết tinh, giảm sự phản xạ ánh sáng, và tăng sự hấp thụ của màng mỏng BaSi
2
. Thời gian khắc được tối ưu ở 15 phút, xem xét sự cân bằng giữa chất lượng kết tinh và các tính chất quang. Thời gian sống của hạt tải không chủ yếu của màng BaSi
2
trên đế Ge điều chỉnh đạt 3.17 μs, một trong những giá trị cao đạt được cho màng mỏng BaSi
2
.
ABSTRACT
The fabrication of orthorhombic barium disilicide (BaSi
2
) thin-films on modified germanium (Ge) substrates by thermal evaporation method was demonstrated, in which the surface modification of Ge substrate was performed by a simple chemical etching method. The effects of etching time on crystalline quality and optical properties of the BaSi
2
films were investigated. The results revealed that the substrate modification has positive impact in improving the crystalline quality, reducing the light reflection, and increasing the absorption of the BaSi
2
thin-films. Etching time was optimized at 15min, considering the trade-off between crystalline quality and optical properties. Minority carrier-lifetime of the evaporated film on Ge substrate achieved 3.17 μs, which is among the high value obtained for thin BaSi
2
films.
[
1-s2.0-s0040609018305212-main.pdf
]
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn