Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,073,848

 Chế tạo và khảo sát các tính chất của màng mỏng BaSi2 bốc bay nhiệt trên đế điều chỉnh Ge (100)
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami
Nơi đăng: Thin Solid Films; Số: 663;Từ->đến trang: 14-20;Năm: 2018
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Việc chế tạo màng mỏng bari đisilic (BaSi2) trên đế điều chỉnh gecmani (Ge) bằng phương pháp bốc bay nhiệt đã được chứng minh, trong đó sự điều chỉnh bề mặt đế Ge được thực hiện bằng một phương pháp khắc hoá học đơn giản. Ảnh hưởng của thời gian khắc lên chất lượng kết tinh và các tính chất quang của BaSi2 đã được khảo sát. Các kết quả thí nghiệm chỉ ra rằng sự điều chỉnh đế có tác dụng tích cực trong việc cải thiện chất lượng kết tinh, giảm sự phản xạ ánh sáng, và tăng sự hấp thụ của màng mỏng BaSi2. Thời gian khắc được tối ưu ở 15 phút, xem xét sự cân bằng giữa chất lượng kết tinh và các tính chất quang. Thời gian sống của hạt tải không chủ yếu của màng BaSi2 trên đế Ge điều chỉnh đạt 3.17 μs, một trong những giá trị cao đạt được cho màng mỏng BaSi2.
ABSTRACT
The fabrication of orthorhombic barium disilicide (BaSi2) thin-films on modified germanium (Ge) substrates by thermal evaporation method was demonstrated, in which the surface modification of Ge substrate was performed by a simple chemical etching method. The effects of etching time on crystalline quality and optical properties of the BaSi2 films were investigated. The results revealed that the substrate modification has positive impact in improving the crystalline quality, reducing the light reflection, and increasing the absorption of the BaSi2 thin-films. Etching time was optimized at 15min, considering the trade-off between crystalline quality and optical properties. Minority carrier-lifetime of the evaporated film on Ge substrate achieved 3.17 μs, which is among the high value obtained for thin BaSi2 films.
[ 1-s2.0-s0040609018305212-main.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn