Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,023,983

 ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ ĐIỀU CHỈNH ĐẾ ĐẾN CÁC TÍNH CHẤT CỦA MÀNG MỎNG BARI ĐISILIC BỐC BAY NHIỆT
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thị Kiều Liên
Nơi đăng: TC Khoa học và Giáo dục - Trường ĐHSP - ĐHĐN (Ngành Toán, Ngôn ngữ học, Văn học); Số: 36(05).2019;Từ->đến trang: 21 - 25;Năm: 2019
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã chế tạo thành công màng mỏng BaSi2 có cấu trúc tinh thể hệ thoi trên đế Ge phẳng và đế Ge được điều chỉnh bằng phương pháp bốc bay nhiệt ở 500 oC sử dụng lớp cung cấp nguyên tử Si. Các kết quả đạt được cho thấy, với thời gian điều chỉnh để te ngắn (nhỏ hơn 15 phút), sự điều chỉnh đế không có tác dụng đáng kể trong việc cải thiện chất lượng kết tinh và các tính chất quang học của màng BaSi2 so với dùng đế phẳng. Khi te = 15 phút, chất lượng kết tinh cũng như các tính chất quang được cải thiện đáng kể. Tuy nhiên, chất lượng kết tinh bị suy giảm trong khi các tính chất quang vẫn được cải thiện khi te > 15 phút. Vì thế, chúng tôi chọn te = 15 phút là thời gian tối ưu cho sự điều chỉnh bề mặt đế Ge. Các tính chất hồi đáp quang học của màng BaSi2 trên đế Ge được điều chỉnh (với te = 15 phút) và trên đế Ge phẳng cho thấy màng chế tạo trên đế được điều chỉnh có tính chất tốt hơn so với trên đế phẳng. Từ phép đo hồi đáp quang học, chúng tôi cũng xác định được vùng cấm của BaSi2 là 1,29 eV. Các kết quả này gợi mở tiềm năng ứng dụng của màng mỏng BaSi2 bốc bay trên đế Ge được điều chỉnh như là chất hấp thụ trong chế tạo pin mặt trời.
ABSTRACT
Orthorhombic BaSi2 films were grown successfully on flat and modified Ge substrates the by thermal evaporation method at 500 oC with an a-Si supply layer. The obtained results showed that within a short etching time te (less than 15 min), the substrate modification had a negligible impact on improving the crystalline quality and optical properties of the BaSi2 films in comparison with using flat substrate. When te is 15 min, the crystalline quality as well as optical properties were improved significantly. However, the crystalline quality degraded whereas the optical properties was still improved as te > 15 min. Therefore, we chose te of 15 min as the optimized condition for surface modification of Ge substrate. Photoresponse properties of evaporated BaSi2 films on modified (with te = 15 min) and flat Ge substrates showed that the film grown on the former has better properties than that on the latter. We also confirmed the bandgap of thermally-evaporated BaSi2 films at 1.29 eV. These results suggest the potential application of the BaSi2 thin-film evaporated on modified Ge substrate as an absorber for thin-film solar cells.
[ 2020\2020m05d04_14_4_264.Mai_Thi_Kieu_Lien-21.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn