Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,010,293

 Ảnh hưởng của sự điều chỉnh đế Si đến việc cải thiện chất lượng kết tinh, các tính chất quang và điện của màng mỏng BaSi2 được bốc bay nhiệt cho các ứng dụng chế tạo pin mặt trời
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien; Noritaka Usami
Nơi đăng: International Journal of Modern Physics B; Số: 34-8;Từ->đến trang: 2050068-1 đến 2050068-14;Năm: 2020
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Màng mỏng bari đisilic (BaSi­2) được lắng đọng trên đế silic (Si) điều chỉnh bằng phương pháp bốc bay nhiệt. Bề mặt đế Si được điều chỉnh bằng phương pháp khắc hoá học có xúc tác kim loại trước khi lắng đọng màng BaSi­2. Ảnh hưởng của thời gian khắc te lên chất lượng kết tinh cũng như các tính chất quang và điện của màng BaSi­2 được khảo sát. Các kết quả thu được cho thấy sự điều chỉnh đế có tác dụng cải thiện chất lượng kết tinh và các tính chất điện; làm giảm sự phản xạ và tăng cường sự hấp thụ của màng mỏng BaSi2. te = 8 s được chọn là điều kiện tối ưu để điều chỉnh bề mặt đế Si. Các giá trị mật độ dòng điện ngắn mạch, độ linh động điện Hall, và thời gian sống của hạt tải không cơ bản đạt được cho màng BaSi2 lắng đọng trên đế Si với te = 8 s lần lượt là 38 mA/cm2, 273 cm2/Vs, và 2.3 µs. Các kết quả đạt được này cho thấy tiềm năng ứng dụng của màng mỏng BaSi2 bốc bay nhiệt trên đế Si điều chỉnh trong việc chế tạo lớp hấp thụ cho pin mặt trời dạng màng mỏng.
ABSTRACT
We have grown orthorhombic barium disilicide (BaSi2) thin-films on modified silicon (Si) substrates by a thermal evaporation method. The surface modification of Si substrate was performed by a metal-assisted chemical etching method. The effects of etching time te on crystalline quality as well as optical and electrical properties of the BaSi2 films were investigated. The obtained results showed that substrate modification can enhance the crystalline quality and electrical properties; reduce the light reflection; and increase the absorption of the BaSi2 thin-films. The te of 8 s was chosen as the optimized condition for surface modification of Si substrate. The achieved inferred short-circuit current density, Hall mobility, and minority carrier lifetime of the BaSi2 film at te of 8 s were 38 mA/cm2, 273 cm2 /Vs, and 2.3 µs, respectively. These results confirm that the BaSi2 thin-film evaporated on the modified Si substrate is a promising absorber for thin-film solar cell applications.
[ 2020\2020m05d04_14_10_3S021797922050068X.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn