Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,851,750

 CHẾ TẠO MÀNG MỎNG BARI ĐISILIC TRÊN ĐẾ GECMANI BẰNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT VÀ KHẢO SÁT MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA NÓ
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thi Kieu Lien
Nơi đăng: TC Khoa học và Giáo dục - Trường ĐHSP - ĐHĐN (Ngành Toán, Ngôn ngữ học, Văn học); Số: 35(04).2019;Từ->đến trang: 66-72;Năm: 2019
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Màng mỏng BaSi2 được chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt trên đế Ge phẳng và điều chỉnh với thời gian điều chỉnh đế te khác nhau. Tiếp nối nghiên cứu trước, tính chất kết tinh và thời gian sống của hạt tải không cơ bản τ trong màng BaSi2 lần lượt được khảo sát. Kết quả cho thấy chất lượng kết tinh của màng BaSi2 dần suy giảm về phía bề mặt màng. τ của màng BaSi2 trên đế điều chỉnh cao hơn so với trên đế phẳng, đạt giá trị 3.17 µs với te = 15 phút. Đây là giá trị cao nhất đạt được khi đo màng mỏng BaSi2 lắng đọng trên các đế khác nhau (độ dày < 300 nm). Các kết quả trong nghiên cứu này góp phần củng cố thêm kết luận về thời gian điều chỉnh đế tối ưu ở nghiên cứu trước. Phổ phát quang của BaSi2 cho thấy màng BaSi2 lắng đọng trên đế điều chỉnh với te = 15 phút có chất lượng kết tinh tốt hơn trên đế phẳng. Từ đó, giá trị vùng cấm của màng BaSi2 được thiết lập, đạt 1.17-1.2 eV.
ABSTRACT
BaSi2 thin-films were fabricated by thermal evaporation method on flat and modified Ge substrates with various etching times te. Continuing with the previous study, the crystalline properties and minority carrier-lifetimes τ in BaSi2 thin-films were investigated respectively. The obtained results showed that, the film quality slightly degrades toward the film surface. τ of the BaSi2 films grown on modified substrates are longer than those on flat substrate and reaches 3.17 µs at te = 15 mins. This is the highest value obtained while measuring the thin BaSi2 films (thickness < 300 nm) evaporating and condensing onto various substrates. The results obtained in this study contribute to strengthening the conclusions about the optimal etching time in the previous study. Photoluminescence spectra of BaSi2 films on Ge substraes showed that BaSi2 film deposited on modified substrate with te = 15 mins has better crystalline quality than that on the flat one. The experimental bandgap of BaSi2 thin-films was deduced, reaching the value of 1.17-1.2 eV.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn