Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,097,793

 CHẾ TẠO DÂY NANO TRÊN ĐẾ Si BẰNG PHƯƠNG PHÁP HOÁ HỌC ĐƠN GIẢN VỚI THỜI GIAN CHẾ TẠO RẤT NGẮN
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Mai Thị Kiều Liên
Nơi đăng: TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG; Số: 19;Từ->đến trang: 59-63;Năm: 2021
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Để sản xuất dây nano Si có năng suất cao ở quy mô lớnvới chi phí thấp, giải pháp hợp lí là dùng các kĩ thuật dựa trêndung dịch. Trong nghiên cứu này, kĩ thuật dựa trên dung dịchđược dùng để chế tạo dây nano Si trực tiếp trên đế Si (100) trongthời gian rất ngắn với các bước thí nghiệm đơn giản, sử dụng bạclà chất xúc tác và tiến hành ở nhiệt độ phòng, áp suất khí quyển.Các kết quả thực nghiệm cho thấy, độ dài và độ hấp thụ của dâynano Si tăng theo thời gian nhúng trong dung dịch ăn mòn hoáhọc. Tuy nhiên, thời gian ăn mòn không làm ảnh hưởng đến chấtlượng của các dây nano Si. Phương pháp hoá học đơn giản nàycũng được thử nghiệm trên đế Ge (100) nhưng không thành công.Để chế tạo dây nano Ge cần dùng dung dịch ăn mòn hoá học kháchoặc thử nghiệm bằng phương pháp khác.
ABSTRACT
To produce high-yield Si nanowires at a large scaleand low cost, a reasonable solution is to use solution-basedtechniques. In this study, a solution-based technique was used tofabricate Si nanowires directly on Si (100) substrates in a veryshort time with simple experimental steps, using silver asthe catalyst and performed at room temperature, atmosphericpressure. The experimental results showed that, the lengthand absorptance of Si nanowires increased with dipping time inetchant solution. However, the etching time did not affectthe quality of the Si nanowires. This simple chemical methodwas also tested on Ge (100) substrates but unsuccessful.Fabrication of Ge nanowires requires different etchant solution orother methods.
[ 2022\2022m09d017_22_22_2612.JST-UD2021-063_R.pdf ]
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn