- Đã khảo sát tổng quan về vật liệu BaSi₂, một vật liệu mới có tiềm năng ứng dụng to lớn, thay thế vật liệu Si truyền thống trong ứng dụng pin mặt trời;

- Đã chế tạo thành công màng mỏng BaSi₂ trên các đế Si và Ge, sử dụng các kĩ thuật mới để điều chỉnh đế trước khi lắng đọng màng;

- Đã phân tích được cấu trúc tinh thể, tính chất quang và điện của màng mỏng BaSi₂ trên các đế Si và Ge điều chỉnh, so sánh với màng trên các đế phẳng. Các kết quả thu được cho thấy rằng màng mỏng BaSi₂ bốc bay trên đế Si và Ge điều chỉnh là chất hấp thụ đầy hứa hẹn cho các ứng dụng pin mặt trời màng mỏng trong tương lai;

- Đã tối ưu hoá được điều kiện điều chỉnh các đế Si và Ge để thu được màng mỏng BaSi₂ trên các đế này có cấu trúc tinh thể, tính chất quang và điện tốt nhất.

- Đã chế tạo thành công dây nano Si trực tiếp trên đế Si (100) bằng phương pháp hoá học đơn giản ở nhiệt độ phòng và áp suất khí quyển. Đây là bước đầu để chế tạo dây nano BaSi₂ trong các nghiên cứu tiếp theo.

- Sản phẩm khoa học: Kết quả nghiên cứu của đề tài được công bố trên 4 bài báo, trong đó có 1 bài báo quốc tế thuộc danh mục ICIE, 3 bài trong nước thuộc danh mục tính điểm của Hội đồng giáo sư nhà nước.

- Kết quả nghiên cứu của đề tài là tài liệu tham khảo hữu ích cho cán bộ, sinh viên, cao học viên, nghiên cứu sinh, và các nhà nghiên cứu thực nghiệm về pin năng lượng mặt trời sử dụng vật liệu mới thay thế vật liệu truyền thống, một hướng nghiên cứu mới đang thu hút được nhiều sự quan tâm nghiên cứu trên thế giới.

- Kết quả nghiên cứu của đề tài góp phần phát triển và nâng cao chất lượng nghiên cứu khoa học của Đại học Đà Nẵng.

- Các kết quả nghiên cứu của đề tài sẽ góp phần giải quyết hiệu quả các nhược điểm về chi phí tiêu tốn và độ phức tạp của quá trình chế tạo pin năng lượng mặt trời. Nó sẽ mở ra tiềm năng ứng dụng trên quy mô rộng lớn trong tương lai gần.