Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 50,180,535

 Sự phụ thuộc trường âm điện từ theo nhiệt độ trong dây lượng tử hình trụ AlGaAs/GaAs
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: TS. Nguyễn Văn Hiếu*; GS.TS. Nguyễn Quang Báu
Nơi đăng: Tạp chí Khoa học Công nghệ ĐHĐN; Số: Số 12(121).2017;Từ->đến trang: 43;Năm: 2017
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Trường âm điện từ trong dây lượng tử hình trụ với thế cao vô hạn được khảo sát bằng lý thuyết khi có từ trường bên ngoài bằng phương pháp phương trình động lượng tử. Chúng tôi thu được phương trình động lượng tử của hàm phân bố của electron tương tác với phonon trong và phonon âm bên ngoài. Chúng tôi tính toán dòng âm điện từ trong dây lượng tử sau đó chúng tôi thu được biểu thức giải tích của trường âm điện từ khi có từ trường ngoài. Các kết quả lý thuyết cho trường âm điện từ được tính số, vẽ đồ thị và bàn luận cho dây lượng tử AlGaAs/GaAs. Các kết quả chỉ ra rằng sự phụ thuộc của trường âm điện từ lên nhiệt độ là không tuyến tính. Các kết quả này được so sánh với kết quả trong bán dẫn khối và trong hố lượng tử để chỉ ra sự khác biệt.
ABSTRACT
The acoustomagnetoelectric (AME) field in a cylindrical quantum wire with an infinite potential (CQWIP) is investigated theoretically in the presence of an external magnetic field (EMF) by using the quantum kinetic equation method. We obtain the quantum kinetic equation for the distribution function of electrons interacting with internal and external acoustic phonons. We calculate the AME current in a CQWIP and then receive analytical expressions for the AME field in the CQWIP in the presence of the EMF. Theoretical results for the AME field is numerically evaluated, plotted and discussed for the specific CQWIP AlGaAs/GaAs. The result shows that the dependence of the AME field on the temperature of the system is nonlinear. These results are compared with those of normal bulk semiconductors and quantum well to show the difference.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn