Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 107,476,633
Tunable Schottky contact at the graphene/Janus SMoSiN2 interface for high-efficiency electronic devices
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Son-Tung Nguyen, Cuong Q Nguyen, Yee Sin Ang, Huynh V Phuc, Nguyen N Hieu Nguyen T Hiep, Nguyen M Hung, Le T T Phuong, Nguyen V Hieu and Chuong V Nguyen
Nơi đăng:
Journal of Physics D: Applied Physics;
S
ố:
56;
Từ->đến trang
: 045306-045311;
Năm:
2023
Lĩnh vực:
Tự nhiên;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
The electrical contacts formed between the channel materials and the electrodes play a vital role in the design and fabrication of high-performance optoelectronic and nanoelectronic devices. In this work we propose combining metallic single-layer graphene (SLG) and a Janus SMoSiN2 semiconductor and investigate the electronic properties and contact types of the combined heterostructures (HTSs) using first-principles calculations. The effects of electric fields and interlayer coupling are also examined. The combined SLG/SMoSiN2 and SLG/N2SiMoS HTSs are both structurally and thermodynamically stable at equilibrium interlayer coupling. The combination between SLG and a Janus SMoSiN2 semiconductor generates a p-type or n-type Schottky contact, depending on the stacking configuration. The SLG/SMoSiN2 HTS generates a p-type Schottky contact while the SLG/N2SiMoS HTS forms an n-type one. Furthermore, applied electric field and strain can adjust the electronic features and contact types of the HTSs. An applied negative electric field and tensile strain lead to conversion from a p-type to an n-type Schottky contact in the SLG/SMoSiN2 stacking configuration, whereas a positive electric field and compressive strain give a transformation from an n-type to a p-type Schottky contact in the SLG/N2SiMoS stacking configuration. Our findings provide rational evidence for the fabrication and design of electrical and optical devices based on SLG/SMoSiN2 HTSs
ABSTRACT
The electrical contacts formed between the channel materials and the electrodes play a vital role in the design and fabrication of high-performance optoelectronic and nanoelectronic devices. In this work we propose combining metallic single-layer graphene (SLG) and a Janus SMoSiN2 semiconductor and investigate the electronic properties and contact types of the combined heterostructures (HTSs) using first-principles calculations. The effects of electric fields and interlayer coupling are also examined. The combined SLG/SMoSiN2 and SLG/N2SiMoS HTSs are both structurally and thermodynamically stable at equilibrium interlayer coupling. The combination between SLG and a Janus SMoSiN2 semiconductor generates a p-type or n-type Schottky contact, depending on the stacking configuration. The SLG/SMoSiN2 HTS generates a p-type Schottky contact while the SLG/N2SiMoS HTS forms an n-type one. Furthermore, applied electric field and strain can adjust the electronic features and contact types of the HTSs. An applied negative electric field and tensile strain lead to conversion from a p-type to an n-type Schottky contact in the SLG/SMoSiN2 stacking configuration, whereas a positive electric field and compressive strain give a transformation from an n-type to a p-type Schottky contact in the SLG/N2SiMoS stacking configuration. Our findings provide rational evidence for the fabrication and design of electrical and optical devices based on SLG/SMoSiN2 HTSs
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn