Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,201,218
Spin–orbit coupling tunable electronic properties of 1𝑇′-MoS2 and ternary
Janus 1𝑇′-MoSSe monolayers: Theoretical prediction
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Nguyen N. Hieu, Nguyen Van Hieu, Huy Le-Quoc, Vo T. T. Vi, Cuong Q.Nguyen, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Kien Nguyen-Ba
Nơi đăng:
Chemical Physics;
S
ố:
583;
Từ->đến trang
: 112300-112306;
Năm:
2024
Lĩnh vực:
Tự nhiên;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
MoS2 can exist in many different polytypes, such as trigonal prismatic, distorted octahedral, or octahedral. The 2𝐻-phase of MoS2 has been extensively studied in recent times, but there are very few studies focusing on the remaining phases, especially the distorted octahedral 𝑇 ′)-phase. Here, we design the MoS2 monolayer and Janus MoSSe structure in the 1𝑇 ′ phase and study their electronic properties within the framework of firstprinciples calculations. Both 1𝑇 ′-MoS2 and 1𝑇 ′-MoSSe monolayers are confirmed to have structural stability and anisotropic mechanical characteristics. Interestingly, while the 1𝑇 ′-MoS2 monolayer exhibits metallic characteristics, Janus MoSSe in the 1𝑇 ′ phase is a semiconductor with a small band gap of 0.04 eV. More interestingly, a tiny bandgap of 0.05 eV has opened up in the 1𝑇 ′-MoS2 monolayer due to the spin–orbit coupling effect. We also study the mobility of carriers in the semiconductor Janus 1𝑇 ′-MoSSe monolayer. 1𝑇 ′-MoSSe monolayer exhibits a high anisotropic carrier mobility due to its high anisotropic crystal structure.
Surprisingly, 1𝑇 ′-MoSSe monolayer possesses extremely high electron mobility, up to 4.58 × 103 cm2 V-1 s-1.
Our findings give a deeper insight into the 1𝑇 ′-phase of transition metal dichalcogenide and its Janus structure
ABSTRACT
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn