Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,200,370
Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices: a comparison with Schottky devices
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Son Phuong Le,
Tuan Quy Nguyen
, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki
Nơi đăng:
Journal of Applied Physics;
S
ố:
116;
Từ->đến trang
: 054510;
Năm:
2014
Lĩnh vực:
Khoa học;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
We have systematically investigated low-frequency noise (LFN) in AlN/AlGaN/GaN metalinsulator-semiconductor (MIS) devices, where the AlN gate insulator layer was sputteringdeposited on the AlGaN surface, in comparison with LFN in AlGaN/GaN Schottky devices. By measuring LFN in ungated two-terminal devices and heterojunction field-effect transistors (HFETs), we extracted LFN characteristics in the intrinsic gated region of the HFETs. Although there is a bias regime of the Schottky-HFETs in which LFN is dominated by the gate leakage current, LFN in the MIS-HFETs is always dominated by only the channel current. Analyzing the
channel-current-dominated LFN, we obtained Hooge parameters a for the gated region as a function of the sheet electron concentration ns under the gate. In a regime of small ns, both the MIS- and Schottky-HFETs exhibit α ∝ 1/ns. On the other hand, in a middle ns regime of the MIS-HFETs, α decreases rapidly like n
s
-ξ
with ξ ~ 2-3, which is not observed for the SchottkyHFETs. In addition, we observe strong increase in α ∝ n
s
3
in a large n
s
regime for both the MIS- and Schottky-HFETs.
ABSTRACT
We have systematically investigated low-frequency noise (LFN) in AlN/AlGaN/GaN metalinsulator-semiconductor (MIS) devices, where the AlN gate insulator layer was sputteringdeposited on the AlGaN surface, in comparison with LFN in AlGaN/GaN Schottky devices. By measuring LFN in ungated two-terminal devices and heterojunction field-effect transistors (HFETs), we extracted LFN characteristics in the intrinsic gated region of the HFETs. Although there is a bias regime of the Schottky-HFETs in which LFN is dominated by the gate leakage current, LFN in the MIS-HFETs is always dominated by only the channel current. Analyzing the
channel-current-dominated LFN, we obtained Hooge parameters a for the gated region as a function of the sheet electron concentration ns under the gate. In a regime of small ns, both the MIS- and Schottky-HFETs exhibit α ∝ 1/ns. On the other hand, in a middle ns regime of the MIS-HFETs, α decreases rapidly like n
s
-ξ
with ξ ~ 2-3, which is not observed for the SchottkyHFETs. In addition, we observe strong increase in α ∝ n
s
3
in a large n
s
regime for both the MIS- and Schottky-HFETs.
[
jap1162014.pdf
]
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn