Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,511,012

 Effect of growth rate on the threading dislocation density in relaxed SiGe buffers grown by reduced pressure chemical vapour deposition at high temperature
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: A Dobbie, M Myronov, Xue-Chao Liu, Van H Nguyen, EHC Parker, DR Leadley
Nơi đăng: Semiconductor Science and Technology; Số: 25;Từ->đến trang: 085007;Năm: 2010
Lĩnh vực: Khoa học; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn