Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 75,104,053
Polarization-insensitive two-mode (de)multiplexer using silicon-on-insulator-based Y-junction and multimode interference couplers
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Duong Quang Duy; Ho Duc Tam Linh; Tang Tan Chien; Nguyen Tan Hung; Truong Cao Dung; Dang Hoai Bac
Nơi đăng:
Optical Engineering (SCI) 58(6), 067105 (21 June 2019). https://doi.org/10.1117/1.OE.58.6.067105;
S
ố:
June 2019 • Vol. 58(6), 067105 (21 June 2019);
Từ->đến trang
: 067105-1, 067105-7;
Năm:
2019
Lĩnh vực:
Khoa học công nghệ;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
We propose a compact device that can (de)multiplex the two lowest polarization-insensitive modes (TE
0
/ TM
0
and TE
1
/ TM
1
) by using silicon-on-insulator substrate. The proposed device consists of a Y-junction coupler and a 2 × 2 multimode interference coupler. We use both beam propagation method and effective index method to optimize and simulate this device. The simulation results show the advantages of our device, such as large wavelength range up to 95 nm, low insertion loss, large fabrication tolerances, and small footprint.
ABSTRACT
We propose a compact device that can (de)multiplex the two lowest polarization-insensitive modes (TE
0
/ TM
0
and TE
1
/ TM
1
) by using silicon-on-insulator substrate. The proposed device consists of a Y-junction coupler and a 2 × 2 multimode interference coupler. We use both beam propagation method and effective index method to optimize and simulate this device. The simulation results show the advantages of our device, such as large wavelength range up to 95 nm, low insertion loss, large fabrication tolerances, and small footprint.
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn