Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,200,521
A Novel Recovery Data Technique on MLC NAND Flash Memory
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Tran Van DaiJingi ParkDong-Joo Park
Nơi đăng:
IEEE;
S
ố:
2019;
Từ->đến trang
: 1-5;
Năm:
2019
Lĩnh vực:
Công nghệ thông tin;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
Flash memory today is more popular because of its advantages, such as low power consumption, high mobility and fast data access. In NAND flash memory, a solution called Flash Translation Layer (FTL) was proposed to solve its disadvantages like erase-before-write and unsymmetrical read or write response time. During the process of using the data, the data might be lost on the power failure in the systems. In some systems, the data is very important. Hence, recovery of data in the event of the system crash or a sudden power outage is of prime importance. One of the methods to fix is the error code correction (ECC), supplied with the flash device by the manufacturer. In the process of power off failure recovery, there have been previous schemes such as In-Page Backup, In-Block Backup, Hybrid Backup, A-PLR (Accumulation based Power Loss Recovery), HYFLUR (Hybrid FLUsh Recovery), and C-HYFLUR …
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn