Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,038,200

 A Novel Recovery Data Technique on MLC NAND Flash Memory
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Tran Van DaiJingi ParkDong-Joo Park
Nơi đăng: IEEE; Số: 2019;Từ->đến trang: 1-5;Năm: 2019
Lĩnh vực: Công nghệ thông tin; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
Flash memory today is more popular because of its advantages, such as low power consumption, high mobility and fast data access. In NAND flash memory, a solution called Flash Translation Layer (FTL) was proposed to solve its disadvantages like erase-before-write and unsymmetrical read or write response time. During the process of using the data, the data might be lost on the power failure in the systems. In some systems, the data is very important. Hence, recovery of data in the event of the system crash or a sudden power outage is of prime importance. One of the methods to fix is the error code correction (ECC), supplied with the flash device by the manufacturer. In the process of power off failure recovery, there have been previous schemes such as In-Page Backup, In-Block Backup, Hybrid Backup, A-PLR (Accumulation based Power Loss Recovery), HYFLUR (Hybrid FLUsh Recovery), and C-HYFLUR …
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn