Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,082,182

 Efficient Data Recovery Techniques ON Mlc Nand Flash Memory
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Van-Dai TranDong-Joo Park
Nơi đăng: IJSTR; Số: 1.2020;Từ->đến trang: 4431-4436;Năm: 2020
Lĩnh vực: Công nghệ thông tin; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
Recently, flash memory has been used in most mobile devices due to its well-known benefits, such as high mobility, low power consumption, and fast data access. However, flash memory also has the drawbacks to overcome like erase-before-write and unsymmetrical read or write response time: one of the solutions is Flash Translation Layer (FTL). In addition, the data might be lost after power outage in the systems. Hence, recovery of data in this situation is of prime significance. One of the techniques is the error code correction (ECC), supplied with the flash device by the manufacturer and there have been schemes such as In-Page Backup, In-Block Backup, Hybrid Backup, A-PLR (Accumulation based Power Loss Recovery), HYFLUR (Hybrid FLUsh Recovery), and C-HYFLUR (Compression scheme for HYFLUR). Nevertheless, these techniques have the disadvantages of not only mapping information overhead but also recovery time. So, in this paper, we introduce two techniques based on the page leveling mapping and block leveling mapping methods using the spare area in FTL. The results show better recovery time and mapping information management overhead than those of previous schemes.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn