Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,487,649

 Giải pháp ghi đệm cho bộ nhớ Nand Flash
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Hồ Văn Phi, Trần Văn Đại
Nơi đăng: NXB Đà Nẵng; Số: 2022;Từ->đến trang: 481-488;Năm: 2022
Lĩnh vực: Công nghệ thông tin; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Bộ nhớ flash được sử dụng rất phổ biến hiện nay do những ưu điểm nổi bật của nó như tốc độ nhanh, gọn nhẹ, tính ổn định cao, tiêu thụ ít điện năng. Tuy nhiên, bên cạnh những ưu điểm nổi bật nói trên bộ nhớ flash vẫn có những nhược điểm đáng chú ý như thuộc tính “Erase-before-write”, vòng đời hữu hạn (khoảng 10.000~100.000 lần xóa trên mỗi block). Những nhược điểm này khiến cho việc triển khai cây chỉ mục B-tree trên bộ nhớ flash giảm hiệu quả đáng kể bởi vì một số lượng lớn các thao tác phát sinh trên bộ nhớ flash mỗi khi cập nhật dữ liệu trên cây B-tree. Bài báo này giới thiệu một giải pháp ghi đệm mới cho các ứng dụng B-tree trên bộ nhớ flash. Giải pháp này sử dụng một số block của bộ nhớ flash làm bộ đệm để lưu tạm thời các node cập nhật một cách tuần tự. Khi bộ đệm đầy, 1 block được lựa chọn, sắp xếp các trang tương ứng với các node theo thứ tự tăng dần và ghi tuần tự vào block dữ liệu …
ABSTRACT
Nand Flash memory, a storage device that is widely used nowadays because of its advantages such as fast access speed, high reliability, nonvolatility, and low power consumption. However, it still has several drawbacks that need to be overcome, e.g., the erase-before-write, and a limited life cycle. Among these weak points, the erase-before-write characteristic causes the B-tree implementation on the nand flflash to be ineffificient because it generates a lot of erase operations. This study proposes a novel writting solution for the nand flflash. This can improve the performance of the B-tree on the nand flflash and minimize the risk of data loss. The solution uses some blocks of flflash memory as a buffer that temporarilys tores all updated nodes. When the buffer is full, a buffer block is selected, then the node pages in the block are converted into a sequential write pattern, and fifinally they are written into flflash memory. As a result, this mechanism helps the system reduce the number of write operations on the flflash memory.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn