Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 111,200,596
Tổng hợp các tấm nano MoS
2
và đánh giá tính chất điện hóa của chúng khi sử dụng làm vật liệu ca-tốt cho pin ion kẽm dung môi nước.
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Kien Nguyen-Ba*, Huy Le-Quoc,
Tran Anh-Vo
, Trang Nguyen-Thi-Thu, Vu-Truong-Son Le, Ngoc-Dat Trinh
Nơi đăng:
The 21st International Symposium on Advanced Technology;
S
ố:
1;
Từ->đến trang
: 1-3;
Năm:
2022
Lĩnh vực:
Khoa học công nghệ;
Loại:
Báo cáo;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
Aqueous rechargeable Zn-ion batteries (AZIBs) have recently attracted considerable attention, due to their intrinsic safety, environmentally benign, and low-cost. However, finding suitable cathode materials is still challenging and attracting much research. Layered MoS2 has been considered a promising cathode candidate. Herein, we report a facile hydrothermal synthesis of MoS2 at different reaction temperatures and investigation of their electrochemical properties as cathode material for AZIBs. We found that the as-prepared MoS2 at the highest temperature 200oC achieved the highest specific capacity of 160 mAh/g at the charge/discharge rate of 100 mA/g. While the MoS2 synthesized at medium temperature 180oC showed better stability and initial columbic efficiency. The MoS2 synthesized at the lowest temperature 160oC suffered poor stability and significant fluctuation in columbic efficiency.
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn