Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 107,338,854
DFT study of electronic properties of N-doped ZnO and ZnO/Cu (111) bilayer films
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
HV Thang
, TLM Pham, G Pacchioni
Nơi đăng:
Surface Science;
S
ố:
716;
Từ->đến trang
: 121978;
Năm:
2022
Lĩnh vực:
Khoa học;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
The electronic properties of N-doped ZnO/Cu(111) bilayer films have been studied by using the DFT+U method including dispersion contributions and compared to that of free-standing ZnO bilayer films. The substitution of a lattice O ion in free-standing ZnO bilayer by a N atom results in oxidation state of N of -2, while the oxidation state of N becomes -3 when it replaces a lattice O in a ZnO/Cu(111) bilayer film. The extra negative charge of N in N:ZnO/Cu(111) compared to freestanding N:ZnO is due to an electron transfer from the Cu support. The difference in oxidation state of the N dopant is demonstrated by the analysis of the Bader charge, of the magnetization, and of the density of states. The changes in electronic properties of the doped ZnO films were evaluated by adsorbing CO and H2 molecules. The results show that the adsorption energies are significantly enhanced in N-doped ZnO/Cu(111) compared to the unsupported N:ZnO bilayer counterpart. This reflects the effect of the ZnO/Cu(111) interface in improving adsorption and possibly catalytic properties and the role of the N-dopant in activating the oxide film.
ABSTRACT
The electronic properties of N-doped ZnO/Cu(111) bilayer films have been studied by using the DFT+U method including dispersion contributions and compared to that of free-standing ZnO bilayer films. The substitution of a lattice O ion in free-standing ZnO bilayer by a N atom results in oxidation state of N of -2, while the oxidation state of N becomes -3 when it replaces a lattice O in a ZnO/Cu(111) bilayer film. The extra negative charge of N in N:ZnO/Cu(111) compared to freestanding N:ZnO is due to an electron transfer from the Cu support. The difference in oxidation state of the N dopant is demonstrated by the analysis of the Bader charge, of the magnetization, and of the density of states. The changes in electronic properties of the doped ZnO films were evaluated by adsorbing CO and H2 molecules. The results show that the adsorption energies are significantly enhanced in N-doped ZnO/Cu(111) compared to the unsupported N:ZnO bilayer counterpart. This reflects the effect of the ZnO/Cu(111) interface in improving adsorption and possibly catalytic properties and the role of the N-dopant in activating the oxide film.
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn